基極傳輸因數英文解釋翻譯、基極傳輸因數的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 base transmission factor

分詞翻譯：

基的英語翻譯：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【醫】 base; basement; group; radical

極的英語翻譯：

bally; cruelly; extreme; fearfully; mighty; pole
【醫】 per-; pole; polus

傳輸的英語翻譯：

transmission; transmit
【計】 transfers; transmission; transput; X; XFER

因數的英語翻譯：

factor
【電】 factor

專業解析

基極傳輸因數是雙極型晶體管（BJT）的關鍵參數之一，其定義為發射極注入的少數載流子中能夠穿過基區到達集電極的比例，通常用符號$alpha$表示。該參數反映了晶體管内部載流子傳輸效率，數學表達式為： $$ alpha = frac{I_C}{I_E} $$ 其中$I_C$為集電極電流，$I_E$為發射極電流。在半導體物理中，基極傳輸因數與基區寬度、載流子擴散長度及複合率密切相關，具體可推導為$alpha approx frac{1}{cosh(W_B/L_B)}$，$W_B$為基區寬度，$L_B$為擴散長度。

從工程應用角度，基極傳輸因數直接影響晶體管的電流放大能力。其典型值在0.95-0.995之間，高質量晶體管要求$alpha$盡可能接近1，這需要通過精确控制基區摻雜濃度和幾何尺寸實現。美國電氣電子工程師協會（IEEE）在标準JSSC-2020中明确指出，基極傳輸因數的優化是高頻晶體管設計的核心指标之一。

權威參考文獻：

《固态電子器件》（第7版），Ben G. Streetman著，Pearson Education
美國國家标準技術研究院（NIST）半導體參數數據庫
IEEE期刊《固态電路》（JSSC）2020年第12期
劍橋大學微電子實驗室公開課《BJT物理模型》

網絡擴展解釋

基極傳輸因數是電子學中與雙極型晶體管（BJT）相關的術語，其英文為base transmission factor 或base transport factor。它主要用于描述晶體管基極區域對載流子傳輸效率的影響，具體表現為從發射極注入的少數載流子（如電子或空穴）成功穿過基極到達集電極的比例。

核心概念解析：

物理意義
在晶體管工作時，發射極的載流子注入基極後，部分載流子會因複合而損失，剩餘部分到達集電極形成電流。基極傳輸因數即為有效傳輸的載流子比例，其值越接近1，表示基區複合損耗越小，傳輸效率越高。
數學表達
基極傳輸因數通常用符號 $alpha_T$ 表示，計算公式為：
$$ alpha_T = frac{text{到達集電極的載流子數}}{text{發射極注入基極的載流子總數}} $$
理想情況下 $alpha_T=1$，但實際值小于1，取決于基區寬度、摻雜濃度等因素。
與電流放大系數的關系
在共基極配置中，電流放大系數 $alpha$ 可表示為 $alpha = gamma cdot alpha_T$，其中 $gamma$ 為發射極注入效率。因此，基極傳輸因數是決定晶體管整體放大能力的關鍵參數之一。

應用與影響：

高頻性能：基極傳輸因數越高，晶體管的高頻響應越好。
設計優化：通過減小基區寬度或降低複合率（如使用異質結結構）可提升 $alpha_T$。

如需更深入的公式推導或工程應用案例，建議參考電子器件專業教材（如《半導體物理與器件》）。