接頭晶體管英文解釋翻譯、接頭晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 junction transistor

分詞翻譯：

接頭的英語翻譯：

connect; get in touch with; joint; piece
【計】 splice
【化】 adapter

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

在電子工程領域，"接頭晶體管"對應的标準英文術語為Junction Transistor，特指利用半導體PN結特性工作的雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）。以下是詳細解釋：

一、術語定義

中文釋義
"接頭"指器件中通過金屬引線實現電學連接的物理接口（如基極、發射極、集電極的焊盤）；"晶體管"即通過半導體材料實現電流放大的三端器件。

核心結構：由兩個背靠背的PN結（發射結和集電結）構成，分為NPN型與PNP型兩類。
英文對應
- Junction Transistor：強調其基于PN結的載流子傳輸機制。
- Bipolar Junction Transistor (BJT)：因電子與空穴兩種載流子均參與導電而得名。

二、工作原理

電流放大通過以下過程實現：

發射結正向偏置：載流子（NPN為電子，PNP為空穴）注入基區。
基區輸運：少數載流子穿越窄基區，部分與多數載流子複合。
集電結反向偏置：未複合載流子被強電場收集，形成放大電流。
電流關系滿足：

$$ I_C = beta I_B I_E = I_C + I_B $$ 其中 $beta$ 為電流放大系數（典型值20-200）。

三、技術特征

參數	NPN型	PNP型
載流子類型	電子主導	空穴主導
偏置要求	$V_C > V_B > V_E$	$V_E > V_B > V_C$
電路符號	箭頭由基極指向發射極	箭頭由發射極指向基極

四、權威參考來源

半導體器件經典教材
- S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（Wiley），第4章詳述BJT物理模型。
國際标準定義
IEEE Standard 315-1975：圖形符號中明确區分NPN/PNP晶體管（條款22.1）。

工程應用指南
ON Semiconductor, BJT Datasheet Design Guidelines：涵蓋封裝引腳定義與驅動電路設計。

注：因未檢索到可驗證的線上參考鍊接，本文依據标準電子工程文獻歸納定義。實際應用中需以器件手冊（Datasheet）為準。

網絡擴展解釋

晶體管是一種半導體器件，其名稱中的“接頭”通常指其電極或引腳結構。以下是詳細解釋：

1.基本結構與電極功能

晶體管的核心由半導體材料構成，不同電極（即“接頭”）承擔特定功能：

雙極型晶體管（BJT）：包含三個電極（、）：
- 發射極（E）：發射電荷載體（如電子或空穴）。
- 基極（B）：控制電流的流動，通過微小電流調節集電極電流。
- 集電極（C）：收集發射極釋放的電荷載體。
場效應晶體管（FET）：如所述，包含：
- 源極（S）：電荷載體的輸入端。
- 漏極（D）：電荷載體的輸出端。
- 栅極（G）：通過電壓控制溝道導通狀态，實現開關或放大功能。

2.“接頭”的作用與意義

電極作為晶體管的“接頭”，是連接外部電路的關鍵部分。例如：

在放大電路中，基極（或栅極）接收輸入信號，集電極（或漏極）輸出放大後的信號（、）。
在開關應用中，通過控制基極/栅極電壓，實現電流通斷（）。

3.技術特點

體積小、效率高：相比傳統電子管，晶體管體積更小且功耗更低（、）。
高速切換：實驗室環境下切換速度可達100GHz以上（、）。

4.應用領域

晶體管廣泛應用于計算機、通信設備、醫療儀器等領域，是現代電子技術的核心元件（、）。

“接頭晶體管”中的“接頭”主要指其電極結構，不同電極通過控制電流或電壓實現信號放大、開關等功能。具體類型（如BJT或FET）的電極名稱和功能略有差異，但核心原理均基于半導體特性。