矽可控整流器英文解釋翻譯、矽可控整流器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 silicon controlled rectifier

分詞翻譯：

矽的英語翻譯：

silicon
【醫】 Si; silicium; silicon

可控整流器的英語翻譯：

【電】 controlled recitifer

專業解析

矽可控整流器（Silicon Controlled Rectifier，簡稱SCR）是電力電子領域的關鍵半導體器件，屬于四層（PNPN）三端結構。其核心功能是通過門極信號控制單向導通特性，實現交流電到直流電的可控轉換。

一、結構與工作原理

SCR由三個PN結（J₁、J₂、J₃）構成，包含陽極、陰極和門極三個電極。在正向偏置電壓下，門極注入觸發電流可使器件從阻斷狀态轉為導通狀态，且一旦導通後門極失去控制作用，需通過降低陽極電流至維持電流以下才能關斷。

二、技術特性

電壓與電流容量：工業級SCR可承受數千伏阻斷電壓及數百安培通态電流（如Vishay生産的VS-系列産品）。
觸發方式：支持脈沖觸發、光觸發等多種方式，響應時間在微秒級。

三、典型應用

電機調速：用于直流電機驅動系統，如起重機變頻控制。
電力傳輸：高壓直流輸電（HVDC）系統中的換流閥核心組件。
溫度控制：電爐、感應加熱設備的功率調節模塊。

四、參考來源

IEEE電力電子學會對晶閘管類器件的定義标準（IEEE Xplore文獻庫）
《功率半導體器件與應用》（機械工業出版社，第3章）
Vishay半導體公司産品手冊（官網技術文檔）

網絡擴展解釋

可控矽整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），又稱晶閘管，是一種基于半導體材料的電力控制器件，主要用于将交流電轉換為可控直流電，并實現對大功率電路的控制。以下是其核心要點：

一、基本結構

可控矽由四層半導體材料（P-N-P-N）構成，形成三個PN結，并引出三個電極：

陽極（A）：連接外層P型半導體
陰極（K）：連接外層N型半導體
控制極（G）：連接中間P型半導體（用于觸發導通）

二、工作原理

導通條件：
- 陽極與陰極間施加正向電壓。
- 控制極輸入一個微小觸發電流（通常幾毫安），使内部形成正反饋，器件迅速導通。
維持導通：
- 一旦導通，即使移除控制極信號，隻要陽極電流大于維持電流，器件仍保持導通狀态。
關斷條件：
- 陽極電流降至維持電流以下，或施加反向電壓。

三、核心特點

高效節能：無機械觸點損耗，能量轉換效率高。
快速響應：微秒級觸發速度，適合高頻電路控制。
高功率控制：可通過小電流控制數千瓦至兆瓦級功率輸出。
單向導電性：僅允許電流從陽極流向陰極，類似二極管但可控。

四、典型應用

工業領域：電鍍、電解、電焊設備的直流電源控制。
電力系統：交流調壓、電機調速、無功補償等。
電子設備：調光電路、溫度控制、電磁閥驅動等。

公式示例（導通條件）

當滿足以下條件時可控矽導通： $$ V{AK} > V{BO} quad text{或} quad IG > I{GT} $$ 其中，$V{BO}$為正向轉折電壓，$I{GT}$為最小觸發電流。

如需進一步了解參數或具體電路設計，可參考來源、5、6的詳細技術說明。