硅可控整流器英文解释翻译、硅可控整流器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 silicon controlled rectifier

分词翻译：

硅的英语翻译：

silicon
【医】 Si; silicium; silicon

可控整流器的英语翻译：

【电】 controlled recitifer

专业解析

硅可控整流器（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是电力电子领域的关键半导体器件，属于四层（PNPN）三端结构。其核心功能是通过门极信号控制单向导通特性，实现交流电到直流电的可控转换。

一、结构与工作原理

SCR由三个PN结（J₁、J₂、J₃）构成，包含阳极、阴极和门极三个电极。在正向偏置电压下，门极注入触发电流可使器件从阻断状态转为导通状态，且一旦导通后门极失去控制作用，需通过降低阳极电流至维持电流以下才能关断。

二、技术特性

电压与电流容量：工业级SCR可承受数千伏阻断电压及数百安培通态电流（如Vishay生产的VS-系列产品）。
触发方式：支持脉冲触发、光触发等多种方式，响应时间在微秒级。

三、典型应用

电机调速：用于直流电机驱动系统，如起重机变频控制。
电力传输：高压直流输电（HVDC）系统中的换流阀核心组件。
温度控制：电炉、感应加热设备的功率调节模块。

四、参考来源

IEEE电力电子学会对晶闸管类器件的定义标准（IEEE Xplore文献库）
《功率半导体器件与应用》（机械工业出版社，第3章）
Vishay半导体公司产品手册（官网技术文档）

网络扩展解释

可控硅整流器（Silicon Controlled Rectifier，SCR），又称晶闸管，是一种基于半导体材料的电力控制器件，主要用于将交流电转换为可控直流电，并实现对大功率电路的控制。以下是其核心要点：

一、基本结构

可控硅由四层半导体材料（P-N-P-N）构成，形成三个PN结，并引出三个电极：

阳极（A）：连接外层P型半导体
阴极（K）：连接外层N型半导体
控制极（G）：连接中间P型半导体（用于触发导通）

二、工作原理

导通条件：
- 阳极与阴极间施加正向电压。
- 控制极输入一个微小触发电流（通常几毫安），使内部形成正反馈，器件迅速导通。
维持导通：
- 一旦导通，即使移除控制极信号，只要阳极电流大于维持电流，器件仍保持导通状态。
关断条件：
- 阳极电流降至维持电流以下，或施加反向电压。

三、核心特点

高效节能：无机械触点损耗，能量转换效率高。
快速响应：微秒级触发速度，适合高频电路控制。
高功率控制：可通过小电流控制数千瓦至兆瓦级功率输出。
单向导电性：仅允许电流从阳极流向阴极，类似二极管但可控。

四、典型应用

工业领域：电镀、电解、电焊设备的直流电源控制。
电力系统：交流调压、电机调速、无功补偿等。
电子设备：调光电路、温度控制、电磁阀驱动等。

公式示例（导通条件）

当满足以下条件时可控硅导通： $$ V{AK} > V{BO} quad text{或} quad IG > I{GT} $$ 其中，$V{BO}$为正向转折电压，$I{GT}$为最小触发电流。

如需进一步了解参数或具体电路设计，可参考来源、5、6的详细技术说明。