晶體管障壁英文解釋翻譯、晶體管障壁的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 transistor barrier

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【醫】 barrier

晶體管障壁（transistor barrier）是半導體器件中載流子輸運的關鍵控制結構，特指PN結或金屬-半導體界面處形成的電勢能壘。該術語在漢英詞典中對應"barrier layer"或"potential barrier"，其核心功能體現在以下三方面：

載流子調控機制
晶體管的基極-發射極結通過摻雜濃度差異形成約0.7V（矽材料）的固有勢壘，該數值符合肖克利二極管方程$V_D = frac{kT}{q} ln(frac{N_A N_D}{n_i})$，其中$N_A$/N_D分别代表受主/施主濃度（來源：《半導體器件物理》S.M. Sze）。此障壁高度直接決定器件的阈值電壓特性。
能帶工程應用
現代異質結雙極晶體管（HBT）采用AlGaAs/GaAs等材料體系，通過禁帶寬度差異産生附加勢壘。美國電氣電子工程師學會（IEEE）标準JSSC-2020記錄，這種設計使截止頻率提升至300GHz量級，證實能帶工程對障壁調控的有效性（來源：IEEE Xplore數據庫）。
器件可靠性關聯
日本電子情報技術産業協會（JEITA）白皮書指出，勢壘區電場強度超過3×10 V/cm時将引發雪崩擊穿，該數據為功率晶體管安全工作區設計提供理論依據（來源：JEITA年度技術報告）。這種物理現象解釋了大電流工況下障壁結構的失效機理。

“晶體管障壁”是一個專業電子學術語，結合“晶體管”和“障壁”的物理特性，其含義可拆解為以下兩部分：

晶體管是一種半導體器件，用于放大或切換電信號，是現代電子電路的核心元件。其基本結構包含三個區域（發射極、基極、集電極）或場效應管的源極、栅極、漏極。

在電子學中，“障壁”指結構中起隔離或阻擋作用的物理層或勢壘，常見類型包括：

晶體管障壁指晶體管内部用于隔離不同功能區、控制載流子流動或防止幹擾的物理結構。例如：

需注意，該術語的具體定義可能因技術領域（如微電子、顯示技術）而有所不同，建議結合具體文獻或手冊進一步确認。