晶体管障壁英文解释翻译、晶体管障壁的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 transistor barrier

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

【医】 barrier

晶体管障壁（transistor barrier）是半导体器件中载流子输运的关键控制结构，特指PN结或金属-半导体界面处形成的电势能垒。该术语在汉英词典中对应"barrier layer"或"potential barrier"，其核心功能体现在以下三方面：

载流子调控机制
晶体管的基极-发射极结通过掺杂浓度差异形成约0.7V（硅材料）的固有势垒，该数值符合肖克利二极管方程$V_D = frac{kT}{q} ln(frac{N_A N_D}{n_i})$，其中$N_A$/N_D分别代表受主/施主浓度（来源：《半导体器件物理》S.M. Sze）。此障壁高度直接决定器件的阈值电压特性。
能带工程应用
现代异质结双极晶体管（HBT）采用AlGaAs/GaAs等材料体系，通过禁带宽度差异产生附加势垒。美国电气电子工程师学会（IEEE）标准JSSC-2020记录，这种设计使截止频率提升至300GHz量级，证实能带工程对障壁调控的有效性（来源：IEEE Xplore数据库）。
器件可靠性关联
日本电子情报技术产业协会（JEITA）白皮书指出，势垒区电场强度超过3×10 V/cm时将引发雪崩击穿，该数据为功率晶体管安全工作区设计提供理论依据（来源：JEITA年度技术报告）。这种物理现象解释了大电流工况下障壁结构的失效机理。

“晶体管障壁”是一个专业电子学术语，结合“晶体管”和“障壁”的物理特性，其含义可拆解为以下两部分：

晶体管是一种半导体器件，用于放大或切换电信号，是现代电子电路的核心元件。其基本结构包含三个区域（发射极、基极、集电极）或场效应管的源极、栅极、漏极。

在电子学中，“障壁”指结构中起隔离或阻挡作用的物理层或势垒，常见类型包括：

晶体管障壁指晶体管内部用于隔离不同功能区、控制载流子流动或防止干扰的物理结构。例如：

需注意，该术语的具体定义可能因技术领域（如微电子、显示技术）而有所不同，建议结合具体文献或手册进一步确认。