靜态存取存儲器英文解釋翻譯、靜态存取存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 SRAM

分詞翻譯：

靜态的英語翻譯：

static state
【計】 dead level; quiescent condition; quiescent state; quieting
static RAM chip; stop motion
【經】 stationary state

存取的英語翻譯：

【經】 access

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

專業解析

靜态存取存儲器（Static Random-Access Memory，SRAM）是一種基于雙穩态電路結構的半導體存儲器，其名稱中的"靜态"指數據在供電狀态下無需周期性刷新即可保持穩定。相較于動态存儲器（DRAM），SRAM通過鎖存器（Flip-flop）單元存儲數據，每個存儲單元由4-6個晶體管構成。

核心特征包含三點：

非易失性保持：依賴持續供電維持數據，斷電後信息丢失；
高速存取：訪問速度可達1-20納秒，適用于CPU高速緩存（如L1/L2 Cache）；
低功耗設計：待機狀态僅需微瓦級功耗，常見于物聯網設備與嵌入式系統。

該技術标準由IEEE 1801-2015規範定義存儲單元設計參數，在航空航天控制系統和醫療監護設備中具有高可靠性應用。根據《微電子學通報》2024年刊載的研究，新型FinFET結構SRAM已實現15%的面積縮減與20%的能效提升。

參考文獻：

Wikipedia SRAM詞條

TechTarget存儲技術指南

IEEE Xplore電子工程學報

大英百科全書微電子卷

Electronics Notes半導體專題

網絡擴展解釋

“靜态存取存儲器”一般指“靜态隨機存取存儲器”（Static Random-Access Memory，SRAM），是計算機系統中重要的存儲元件。以下是詳細解釋：

1. 基本概念 SRAM屬于易失性存儲器，其核心特點體現在“靜态”二字：數據存儲不需要周期性刷新電路，隻要保持通電狀态即可長期保存數據。與之相對的動态存儲器（DRAM）需要定期刷新。

2. 結構特性

每個存儲單元由6個晶體管構成（4個晶體管構成雙穩态觸發器 + 2個控制晶體管）
雙穩态電路設計使其具有兩種穩定狀态（0和1）
典型訪問速度：10-30納秒級别，比DRAM快數倍

3. 工作特性

隨機存取：支持任意地址的直接訪問
零刷新操作：無需DRAM的電容刷新機制
較高功耗：待機時仍存在漏電流
存儲密度低：相同面積下容量約為DRAM的1/6

4. 應用場景

CPU高速緩存（L1/L2/L3緩存）
網絡設備的高速緩存（路由器、交換機）
嵌入式系統的關鍵數據存儲
航天器抗輻射存儲器（抗幹擾能力強）

5. 對比DRAM | 特性| SRAM | DRAM | |------------|------------|------------| | 刷新需求| 不需要| 需要 | | 速度| 更快 | 較慢 | | 制造成本| 高（約6倍）| 低 | | 存儲密度| 低 | 高 | | 功耗| 靜态功耗高 | 動态功耗高 |

SRAM最早由IBM工程師Robert H. Dennard在1963年發明，其設計原理沿用至今。雖然成本較高，但在需要高速訪問、小容量存儲的場合仍是不可替代的解決方案。