讀間串擾英文解釋翻譯、讀間串擾的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 read-to-read crosstalk

分詞翻譯：

讀的英語翻譯：

attend school; read
【計】 R
【醫】 reading

間的英語翻譯：

among; between; separate; sow discord; space
【化】 meta-
【醫】 dia-; inter-; meta-

串擾的英語翻譯：

【計】 cross fire; crosstalk

專業解析

在電子工程與存儲器技術領域，"讀間串擾"對應的英文術語為Read Disturb 或Read Disturbance。以下是其詳細解釋：

一、術語定義與核心概念

中文定義
"讀間串擾"指在非易失性存儲器（如NAND閃存）中，當反複讀取某一存儲單元（Memory Cell）時，相鄰存儲單元的電平狀态可能被意外改變的現象。這種幹擾源于讀取操作施加的電壓對鄰近單元電荷的累積影響，屬于存儲器可靠性問題的一種。
英文對照
- Read Disturb：标準術語，強調讀取操作引發的幹擾效應。
- Read Disturb Error (RDE)：特指由此導緻的數據錯誤。

二、物理機制與成因

電荷注入效應
讀取操作需向目标單元的字線（Word Line）施加電壓（如V_read）。該電壓可能通過電容耦合或隧道效應，使相鄰未選單元浮栅（Floating Gate）的電子發生遷移，改變其阈值電壓（V_th）。
工藝尺度縮小的加劇
隨着存儲器制程進入納米級（如1x nm以下），單元間距減小導緻電場串擾增強，使讀間串擾成為高密度存儲器的關鍵挑戰。

三、影響與後果

數據完整性破壞：被幹擾單元可能從編程态（Programmed State）跳變為擦動态（Erased State），導緻比特翻轉（Bit Flip）。
可靠性下降：長期累積效應會縮短存儲器壽命，尤其在QLC/PLC等高密度存儲方案中更為顯著。

四、緩解技術

糾錯編碼（ECC）
采用LDPC等強糾錯碼實時檢測并修複錯誤比特。

讀取刷新（Read Refresh）
定期重寫受頻繁讀取影響的數據塊，重置電荷狀态。

物理結構優化
3D NAND通過垂直堆疊結構降低橫向幹擾，替代平面NAND的局限性。

五、行業應用場景

該現象在SSD、eMMC/UFS嵌入式存儲及數據中心冷存儲系統中至關重要。JEDEC标準JESD218明确将讀間串擾列為固态設備耐久性測試的核心參數之一。

權威參考來源

IEEE Transactions on Electron Devices: "Read Disturb Analysis in 3D NAND Flash Memory" (DOI: 10.1109/TED.2020.3048996)
Micron Technology Technical Note: "NAND Flash Read Disturb Management" (micron.com)
JEDEC Standard JESD218: "Solid State Drive (SSD) Endurance Test Method" (jedec.org)
《半導體存儲器技術》（ISBN 978-7-121-35011-2），第8章"可靠性機制"

網絡擴展解釋

"讀間串擾"可能是術語表述的誤差，實際應為"串擾"(Crosstalk)，指電路信號傳輸中相鄰線路的電磁幹擾現象。以下是綜合多個權威來源的詳細解釋：

一、基本定義串擾是高速數字電路中兩條信號線之間通過互容（電場耦合）和互感（磁場耦合）引起的非預期能量傳遞現象。它會導緻受害線路出現噪聲，進而引發信號失真、時序偏移等問題，被公認為影響信號完整性的重要因素。

二、核心分類

耦合方式
- 容性串擾：由分布電容産生的電場耦合，與信號電壓變化率成正比
- 感性串擾：由互感産生的磁場耦合，與信號電流變化率成正比
空間位置
- 近端串擾：發生在幹擾源近端的幹擾（後向串擾）
- 遠端串擾：發生在幹擾源遠端的幹擾（前向串擾）

三、數據讀取場景的影響在存儲器讀寫等高頻操作中，相鄰地址線/數據線間易出現串擾。例如：

讀取操作時，相鄰線路的快速電平跳變會通過互容/互感耦合到目标線路
導緻信號波形畸變（如振鈴、過沖）或誤判邏輯電平

四、抑制措施

增大走線間距（3W原則：間距≥3倍線寬）
采用差分信號傳輸
添加地線屏蔽層
使用端接匹配技術

注：若需更專業的存儲電路串擾分析，建議參考IEEE信號完整性相關文獻。