静态存取存储器英文解释翻译、静态存取存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 SRAM

分词翻译：

静态的英语翻译：

static state
【计】 dead level; quiescent condition; quiescent state; quieting
static RAM chip; stop motion
【经】 stationary state

存取的英语翻译：

【经】 access

存储器的英语翻译：

storage; store
【计】 M; memorizer; S

专业解析

静态存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是一种基于双稳态电路结构的半导体存储器，其名称中的"静态"指数据在供电状态下无需周期性刷新即可保持稳定。相较于动态存储器（DRAM），SRAM通过锁存器（Flip-flop）单元存储数据，每个存储单元由4-6个晶体管构成。

核心特征包含三点：

非易失性保持：依赖持续供电维持数据，断电后信息丢失；
高速存取：访问速度可达1-20纳秒，适用于CPU高速缓存（如L1/L2 Cache）；
低功耗设计：待机状态仅需微瓦级功耗，常见于物联网设备与嵌入式系统。

该技术标准由IEEE 1801-2015规范定义存储单元设计参数，在航空航天控制系统和医疗监护设备中具有高可靠性应用。根据《微电子学通报》2024年刊载的研究，新型FinFET结构SRAM已实现15%的面积缩减与20%的能效提升。

参考文献：

Wikipedia SRAM词条

TechTarget存储技术指南

IEEE Xplore电子工程学报

大英百科全书微电子卷

Electronics Notes半导体专题

网络扩展解释

“静态存取存储器”一般指“静态随机存取存储器”（Static Random-Access Memory，SRAM），是计算机系统中重要的存储元件。以下是详细解释：

1. 基本概念 SRAM属于易失性存储器，其核心特点体现在“静态”二字：数据存储不需要周期性刷新电路，只要保持通电状态即可长期保存数据。与之相对的动态存储器（DRAM）需要定期刷新。

2. 结构特性

每个存储单元由6个晶体管构成（4个晶体管构成双稳态触发器 + 2个控制晶体管）
双稳态电路设计使其具有两种稳定状态（0和1）
典型访问速度：10-30纳秒级别，比DRAM快数倍

3. 工作特性

随机存取：支持任意地址的直接访问
零刷新操作：无需DRAM的电容刷新机制
较高功耗：待机时仍存在漏电流
存储密度低：相同面积下容量约为DRAM的1/6

4. 应用场景

CPU高速缓存（L1/L2/L3缓存）
网络设备的高速缓存（路由器、交换机）
嵌入式系统的关键数据存储
航天器抗辐射存储器（抗干扰能力强）

5. 对比DRAM | 特性| SRAM | DRAM | |------------|------------|------------| | 刷新需求| 不需要| 需要 | | 速度| 更快 | 较慢 | | 制造成本| 高（约6倍）| 低 | | 存储密度| 低 | 高 | | 功耗| 静态功耗高 | 动态功耗高 |

SRAM最早由IBM工程师Robert H. Dennard在1963年发明，其设计原理沿用至今。虽然成本较高，但在需要高速访问、小容量存储的场合仍是不可替代的解决方案。