
【電】 avalenche transistor
accumulate; repeated; tire; weary; work hard
add; gain; increase
【機】 super-
electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal
累增電晶體(Avalanche Transistor)是一種基于雪崩擊穿效應設計的高頻半導體器件。該術語由中文"累增"(雪崩倍增)與"電晶體"(晶體管)組合而成,對應英文"Avalanche Transistor"的直譯概念。其核心工作原理是通過反向偏置電壓在集電結區域形成強電場,當載流子獲得足夠動能時引發碰撞電離的鍊式反應。
該器件具有三個典型特征:1)集電結采用輕摻雜結構以降低擊穿電壓;2)基區寬度小于載流子擴散長度;3)發射結采用重摻雜提升注入效率。在脈沖電路應用中,其雪崩倍增系數可達10量級,響應時間可縮短至亞納秒級。
主要應用場景包括:
根據《IEEE Transactions on Electron Devices》最新研究,現代累增電晶體通過異質結設計已實現200GHz的截止頻率,其瞬态功率處理能力較傳統雙極型晶體管提升兩個數量級(來源:IEEE Xplore數字圖書館)。該技術突破為太赫茲通信系統提供了關鍵器件支持。
“累增電晶體”是電子工程領域的專業術語,其含義和背景如下:
若需深入技術參數或電路設計案例,可提供具體方向以便補充。
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