晶體管結構英文解釋翻譯、晶體管結構的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 transistor structure

分詞翻譯：

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

結構的英語翻譯：

frame; structure; composition; configuration; construction; fabric; mechanism
【計】 frame work
【醫】 constitution; formatio; formation; installation; structure; tcxture

專業解析

晶體管（Transistor）是一種基于半導體材料構建的三端電子器件，其核心結構由發射極（Emitter）、基極（Base）和集電極（Collector）組成（雙極型晶體管，BJT）或源極（Source）、栅極（Gate）和漏極（Drain）組成（場效應晶體管，FET）。其結構設計通過摻雜不同半導體區域（如N型和P型）形成PN結，并通過電壓或電流控制載流子運動，從而實現信號放大、開關控制等功能。

晶體管結構的關鍵特征

雙極型晶體管（BJT）結構
- 由三層半導體材料交替排列（NPN或PNP型），基極極薄且低摻雜，發射極高摻雜以注入載流子，集電極面積較大以收集載流子。
- 典型工作模式包括放大區、飽和區和截止區，由基極電流控制集電極-發射極電流。
場效應晶體管（FET）結構
- 包括金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）和結型場效應晶體管（JFET）。以栅極電壓調控導電溝道寬度，從而控制漏極-源極電流。
- MOSFET進一步分為增強型和耗盡型，結構包含氧化層（如SiO₂）作為絕緣介質。
材料與制造工藝
- 主要采用矽（Si）或化合物半導體（如GaN、SiC），通過光刻、離子注入和化學氣相沉積（CVD）等工藝形成納米級結構。

權威參考文獻

雙極型晶體管原理：美國電氣電子工程師協會（IEEE）對BJT的經典分析[參考：IEEE Xplore]
場效應晶體管技術：英國《電子工程雜志》（Electronics Tutorials）對FET的詳解[參考：Electronics Tutorials]
半導體制造技術：德國《應用物理學期刊》（Applied Physics Letters）關于現代晶體管工藝的研究[參考：Applied Physics Letters]

網絡擴展解釋

晶體管的結構根據其類型（如雙極型晶體管BJT或場效應晶體管FET）有所不同，但核心均由半導體材料構成，通過控制電流或電壓實現信號處理功能。以下是主要結構特點的

一、雙極型晶體管（BJT）結構

三個區域與電極
- 發射區（Emitter）：摻雜濃度高，負責向基區注入載流子（如電子或空穴）。
- 基區（Base）：極薄且摻雜濃度低，用于控制載流子的傳輸量，是電流放大的關鍵區域。
- 集電區（Collector）：面積較大，收集從基區擴散的載流子，形成輸出電流。
  對應的三個電極為發射極（E）、基極（B）和集電極（C）。
PN結組合
BJT由兩個PN結（發射結和集電結）組成，根據排列方式分為NPN型和PNP型。

二、場效應晶體管（FET）結構

三個電極與溝道
- 源極（Source）：載流子流入端。
- 漏極（Drain）：載流子流出端。
- 栅極（Gate）：通過施加電壓控制溝道導電性，實現開關或放大功能。
- 溝道（Channel）：源極與漏極之間的半導體區域，栅極電壓變化可改變其導電狀态（導通或關閉）。

三、結構對功能的影響

放大作用：BJT通過基極電流微小變化控制集電極電流大幅變化，實現信號放大。
開關作用：FET通過栅極電壓控制溝道通斷，以二進制“0”和“1”表示狀态。

四、補充說明

晶體管廣義上包含二極管、三極管等多種半導體器件，但狹義常指三極管。其結構設計使其具備體積小、功耗低、響應速度快等優勢，成為現代電子技術的核心元件。