场效元件英文解释翻译、场效元件的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 field-effect device

field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant

effect; imitate; render

component; element; organ
【计】 E
【化】 element

场效元件（Field Effect Device）是半导体器件的重要类别，其核心工作原理是利用电场效应来控制电流的导通与关断。以下是其详细解释：

一、术语定义与核心原理

汉英对照：场效元件 (Chǎng xiào yuánjiàn) - Field Effect Device (FED)。
核心机制：通过施加在栅极 (Gate) 上的电压，在半导体材料（如硅）表面感应或耗尽出一个可控的导电沟道 (Channel)。沟道的电导率（即电阻）受栅极电压的强烈调制，进而控制源极 (Source) 和漏极 (Drain) 之间的电流大小。这是一种电压控制型器件，输入阻抗极高。
关键特征：区别于双极型晶体管（电流控制型），场效元件是单极性（多子）导电器件，主要依赖电子或空穴一种载流子工作。

二、主要类型场效元件主要分为两大类：

结型场效应晶体管 (JFET - Junction Field-Effect Transistor):
- 利用反向偏置的PN结耗尽区宽度随电压变化的特性来控制沟道导电能力。
- 栅极与沟道直接形成PN结。
- 结构相对简单，输入阻抗高（但低于MOSFET）。
金属-氧化物-半导体场效应晶体管 (MOSFET - Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor):
- 是目前应用最广泛、最重要的场效元件。
- 栅极通过一层薄绝缘氧化物（如SiO₂）与半导体沟道隔离，形成类似电容的结构。
- 栅极电压在半导体表面感应出电荷（反型层），形成导电沟道。
- 类型：
  - 增强型 (Enhancement Mode): 零栅压下无沟道，需正（N沟）或负（P沟）栅压形成沟道。
  - 耗尽型 (Depletion Mode): 零栅压下存在沟道，栅压可使其增强或耗尽。

三、核心特性与优势

四、典型应用领域

参考资料：

《微电子器件（第4版）》陈星弼，张庆中编著，电子工业出版社。该书系统阐述了包括JFET和MOSFET在内的各种半导体器件物理原理、特性模型与应用。（章节：场效应晶体管）
《半导体物理学（第7版）》刘恩科，朱秉升，罗晋生等编著，电子工业出版社。作为半导体领域的经典教材，深入解释了电场效应、载流子输运等基础物理机制。（章节：半导体表面与MIS结构）
IEEE Standards Association - IEEE Standard Definitions of Terms for Field-Effect Transistors (IEEE Std 319-1971 (Reaffirmed 2008))。该标准提供了场效应晶体管相关术语的权威定义。

“场效元件”是电子学领域的一个专业术语，其核心含义和解释如下：

基本定义
场效元件（Field-Effect Device）指利用电场效应控制电流的半导体器件。这类元件通过施加外部电压形成的电场，调节导电通道的电阻，从而控制电流大小。
典型代表
最常见的场效元件是场效应晶体管（FET），包括：
- MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管）：通过栅极电压控制源漏极电流，广泛应用于集成电路。
- JFET（结型场效应管）：利用PN结反向偏置电压控制导电沟道。
工作原理
通过改变栅极与源极之间的电压，在半导体材料中形成或耗尽导电沟道，实现电流的导通或关断。这种电场控制方式具有高输入阻抗和低功耗的特点。
应用领域
场效元件是数字电路、模拟电路、功率电子设备的核心元件，例如CPU中的逻辑门、电源管理芯片、射频放大器等。
术语拆分
- 场：指电场（Electric Field），控制元件工作的主要物理量。
- 效：指效应（Effect），即电场对电流的调控作用。
- 元件：即电子器件（Device），属于半导体组件类别。

需要注意的是，该术语的英文直译“field-effect device”在学术文献中更常用，而中文“场效元件”主要用于工程领域。如需深入研究，建议参考《半导体器件物理》等专业书籍。