
【電】 field-ion microscope; ion microscope
場離子顯微鏡(Field Ion Microscope,簡稱FIM)是一種基于場緻電離原理的高分辨率顯微成像技術,主要用于觀察金屬和半導體材料表面的原子級結構。其核心原理是通過施加高強度電場(通常達數伏特/埃量級),使吸附在針尖狀樣品表面的惰性氣體原子(如氦或氖)發生電離,電離後的離子沿電場線運動至探測器,形成反映樣品表面原子排列的投影圖像。
該儀器由以下關鍵組件構成:
曆史文獻顯示,場離子顯微鏡由德國物理學家Erwin Müller于1951年率先實現原子級分辨率(《Physical Review》第82卷),這一突破使人類首次直接觀察到鎢晶體表面的原子排列。在材料科學領域,該技術被廣泛應用于晶界結構分析、表面擴散研究和納米材料表征(賓夕法尼亞州立大學材料研究所2018年技術報告)。
需注意其兩大局限性:樣品制備需滿足高強度場下不熔化的條件(僅限于高熔點金屬如鎢、鉑),且動态過程觀測受限于單次成像需數分鐘的特點(《表面分析技術手冊》第三版,Springer出版)。
場離子顯微鏡(Field Ion Microscope, FIM)是一種能夠直接觀察材料表面原子排列的高分辨率顯微儀器。以下是其核心特點和工作原理的詳細解釋:
場離子顯微鏡由E.W. Müller于20世紀50年代發明,是最早實現原子級分辨率(約0.2-0.3納米)的顯微鏡。它通過成像氣體的“場電離”過程生成圖像,無需傳統磁或靜電透鏡。
如需進一步了解技術參數或曆史發展,可參考搜狗百科()及道客巴巴等來源。
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