射極效率英文解釋翻譯、射極效率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 emitter efficiency

分詞翻譯：

射極的英語翻譯：

【電】 emitter

效率的英語翻譯：

efficiency
【化】 coefficient of performance(COP)
【醫】 efficiency
【經】 efficiency

專業解析

在電子工程領域，"射極效率"（英文：Emitter Efficiency）是雙極結型晶體管（BJT）的核心參數之一，用于衡量發射極向基區注入載流子的有效性。其定義為：發射極注入的少數載流子電流與總發射極電流的比值，反映了發射結對載流子注入的控制能力。

一、物理意義

射極效率（γ）表征發射極在正向偏壓下，有用載流子注入的效率。理想情況下，發射極應僅注入一種載流子（NPN管為電子，PNP管為空穴），但實際因基區載流子反向注入發射極，會降低有效電流增益。公式表達為： $$ gamma = frac{J{nE}}{J{nE} + J_{pE}} $$ 其中：

• $J_{nE}$：電子注入基區的電流密度；
• $J_{pE}$：空穴從基區反向注入發射極的電流密度。

二、影響因素

1. 摻雜濃度

   發射區摻雜濃度需遠高于基區（典型>100倍），以抑制基區載流子反向注入。若摻雜不足，$J_{pE}$增大導緻γ下降。

2. 材料帶隙

   寬禁帶發射區材料（如SiGe合金）可提升勢壘高度，減少反向注入，改善γ。

3. 溫度效應

   高溫下少子濃度升高，$J_{pE}$增加，γ降低，影響晶體管高溫穩定性。

三、與電流增益的關系

射極效率直接決定BJT的共基極電流增益（α）上限： $$ alpha = gamma cdot beta_T $$ 其中$beta_T$為基區輸運因子。γ越接近1（理想值），α越接近最大值，器件放大能力越強。

四、工程優化方向

• 異質結設計：采用SiGe/Si等異質結，利用價帶偏移抑制空穴反向注入。
• 發射區厚度控制：減薄發射區厚度可降低基區空穴擴散電流，但需平衡串聯電阻。

參考文獻

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3. R. M. Warner & B. L. Grung, Transistors: Fundamentals for the Integrated-Circuit Engineer, Wiley, 1983.
4. B. G. Streetman, Solid State Electronic Devices, Prentice Hall, 2015.
5. D. L. Harame et al., "Si/SiGe Epitaxial-Base Transistors—Part I," IEEE Trans. Electron Dev., 1995. DOI:10.1109/16.385065
6. P. Ashburn, Bipolar Transistor Design, Artech House, 2003.

（注：部分經典文獻無公開鍊接，保留标準引用格式；其餘鍊接均指向權威出版社或IEEE數據庫。）

網絡擴展解釋

根據搜索結果和電子工程領域的常見定義，"射極效率"（Emitter Efficiency）是雙極型晶體管（BJT）的重要參數，其核心含義為：

1. 基本定義 指在晶體管工作時，發射極注入基區的有效載流子與總發射極電流的比值。該參數反映了載流子從發射區向基區注入的效率，直接影響晶體管的放大性能。

2. 計算公式 發射效率通常用γ表示： $$ γ = frac{I{n}}{I{n} + I_{p}} $$ 其中：

• $I_n$為電子電流（NPN型晶體管）
• $I_p$為空穴電流

3. 影響因素

• 發射區與基區的摻雜濃度比
• 基區寬度與載流子擴散長度的關系
• 半導體材料的本征特性

4. 工程意義 在晶體管設計中，高發射效率（接近1）能有效提升電流放大系數。實際應用中常通過重摻雜發射區、減小基區寬度等手段優化該參數。

注：由于搜索結果未提供詳細技術參數，以上公式和影響因素說明結合了半導體物理基礎理論。如需專業文獻支持，建議查閱《半導體器件物理》等權威教材。

分類

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