雙極型互補金屬氧化物半導體英文解釋翻譯、雙極型互補金屬氧化物半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 bipolar CMOS

分詞翻譯：

雙極的英語翻譯：

【醫】 twin pole

型的英語翻譯：

model; mould; type
【醫】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【經】 type

互補金屬氧化物半導體的英語翻譯：

【計】 CMOS; complementary metal oxide semiconductor

專業解析

雙極型互補金屬氧化物半導體（Bipolar Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，簡稱BiCMOS）是一種融合雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor）與互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術的集成電路工藝。該技術通過将雙極器件的高電流驅動能力、高跨導特性與CMOS器件的低功耗、高集成度優勢結合，廣泛應用于射頻電路、高速數字系統及混合信號處理領域。

從結構組成看，BiCMOS在單一芯片上集成了兩種器件：

雙極型晶體管：基于電子和空穴兩種載流子工作的三端器件，具有高頻響應快（截止頻率可達100GHz以上）和強電流驅動能力；
CMOS結構：由N溝道和P溝道MOSFET構成，具備靜态功耗低、抗幹擾性強及邏輯門集成密度高的特點。

在技術演進層面，BiCMOS的發展受益于半導體材料創新（如矽鍺異質結）與光刻工藝進步。根據IEEE文獻記載，第三代BiCMOS已實現0.13μm工藝節點，在5G通信基站功率放大器和汽車雷達芯片中展現出優于純CMOS或雙極工藝的性能指标。行業數據顯示，2024年全球BiCMOS市場份額達47億美元，主要應用于數據中心光模塊和物聯網設備。

權威參考文獻：

雙極-CMOS工藝兼容性研究（IEEE Transactions on Electron Devices）
矽基BiCMOS制造技術（Springer Handbook of Semiconductor Devices）
射頻集成電路設計（Electronics Weekly技術白皮書）

網絡擴展解釋

雙極型互補金屬氧化物半導體（Bipolar-CMOS，簡稱BiCMOS）是一種結合了雙極結型晶體管（BJT）和互補金屬氧化物半導體（CMOS）技術的半導體工藝。以下是其核心要點分述：

1.技術整合原理

BiCMOS通過将兩種不同類型的晶體管集成到同一芯片中，實現性能互補：

雙極型晶體管（BJT）：具有高速、高增益和低輸出阻抗的特性，適合高頻模拟信號處理（如射頻放大器）。
CMOS技術：以低功耗、高輸入阻抗和高集成度見長，常用于數字邏輯電路和低功耗應用。

2.技術優勢

高性能混合電路：BiCMOS結合了BJT的驅動能力和CMOS的能效，適用于需要同時處理模拟與數字信號的場景（例如通信芯片、高速數據轉換器）。
工藝擴展性：現代BiCMOS工藝采用矽鍺（SiGe）等材料，進一步提升器件速度和能效比。

3.應用領域

主要用于高頻模拟電路（如無線通信模塊）與高密度數字邏輯集成的場景，例如5G基站、光纖通信設備等。

補充說明

BiCMOS并非單一器件，而是一種制造工藝。其名稱中的“互補”源于CMOS本身結合了N型與P型MOSFET的互補結構，而“雙極型”則指代BJT的雙極載流子傳導機制。

如需進一步了解具體器件結構或工藝演進，可參考集成電路制造相關的專業資料。