光敏性场效晶体管英文解释翻译、光敏性场效晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 photosensitive field-effect tran-sistor

photosensitive

character; gender; nature; quality; sex
【医】 gam-; gamo-; geno-; sex

【电】 field-effect transistor

光敏性场效晶体管（Photosensitive Field-Effect Transistor，简称PhotoFET）是一种结合光电效应与场效应晶体管特性的半导体器件。其核心原理是通过光照改变半导体材料的载流子浓度，从而调控源极和漏极之间的电流。以下从汉英词典角度解析其定义与特性：

结构与术语对照
该器件由栅极（Gate）、光敏层（Photosensitive Layer）、源极（Source）和漏极（Drain）组成。其中，光敏层通常采用非晶硅（Amorphous Silicon）或有机半导体材料（Organic Semiconductor），可将光信号转化为电导率变化。英文文献中常表述为："A three-terminal optoelectronic device where incident photons modulate channel conductivity."
工作原理
当光照射到光敏层时，光子能量激发电子-空穴对，导致栅极感应电荷量变化（即光生伏特效应）。此过程降低阈值电压，使源漏电流随光照强度呈指数关系变化。公式可表示为：

$$ I{DS} = mu C{ox} frac{W}{L} left( V{GS} - V{th} + Delta V{ph} right) $$

其中$Delta V{ph}$为光致电压偏移量。
应用领域
该器件广泛应用于光强度检测（如智能照明系统）、高速光通信接收模块，以及生物医学成像传感器领域。国际电气电子工程师协会（IEEE）在《光电子器件标准》（IEEE 1786-2024）中将其归类为低噪声光电传感器。
性能参数
关键指标包括光谱响应范围（典型值为400-1100nm）、暗电流（Dark Current，通常低于1nA）和响应速度（可达纳秒级）。麻省理工学院微系统实验室2024年研究报告显示，基于钙钛矿材料的PhotoFET量子效率已突破85%。

光敏性场效晶体管（Photodetector Metal-Oxide-Semiconductor，PD-MOS）是一种结合光敏元件与场效应晶体管（FET）特性的半导体器件，能够将光信号转换为电信号并进行放大。以下是其核心要点：

普通光敏晶体管（如光电三极管）主要通过光电流直接放大信号，而光敏性场效晶体管通过电场控制实现更精准的电流调制，且集成度更高（）。

如需进一步了解器件参数或具体应用案例，可参考（）和（）的详细技术说明。