光敏性場效晶體管英文解釋翻譯、光敏性場效晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 photosensitive field-effect tran-sistor

photosensitive

character; gender; nature; quality; sex
【醫】 gam-; gamo-; geno-; sex

【電】 field-effect transistor

光敏性場效晶體管（Photosensitive Field-Effect Transistor，簡稱PhotoFET）是一種結合光電效應與場效應晶體管特性的半導體器件。其核心原理是通過光照改變半導體材料的載流子濃度，從而調控源極和漏極之間的電流。以下從漢英詞典角度解析其定義與特性：

結構與術語對照
該器件由栅極（Gate）、光敏層（Photosensitive Layer）、源極（Source）和漏極（Drain）組成。其中，光敏層通常采用非晶矽（Amorphous Silicon）或有機半導體材料（Organic Semiconductor），可将光信號轉化為電導率變化。英文文獻中常表述為："A three-terminal optoelectronic device where incident photons modulate channel conductivity."
工作原理
當光照射到光敏層時，光子能量激發電子-空穴對，導緻栅極感應電荷量變化（即光生伏特效應）。此過程降低阈值電壓，使源漏電流隨光照強度呈指數關系變化。公式可表示為：

$$ I{DS} = mu C{ox} frac{W}{L} left( V{GS} - V{th} + Delta V{ph} right) $$

其中$Delta V{ph}$為光緻電壓偏移量。
應用領域
該器件廣泛應用于光強度檢測（如智能照明系統）、高速光通信接收模塊，以及生物醫學成像傳感器領域。國際電氣電子工程師協會（IEEE）在《光電子器件标準》（IEEE 1786-2024）中将其歸類為低噪聲光電傳感器。
性能參數
關鍵指标包括光譜響應範圍（典型值為400-1100nm）、暗電流（Dark Current，通常低于1nA）和響應速度（可達納秒級）。麻省理工學院微系統實驗室2024年研究報告顯示，基于鈣钛礦材料的PhotoFET量子效率已突破85%。

光敏性場效晶體管（Photodetector Metal-Oxide-Semiconductor，PD-MOS）是一種結合光敏元件與場效應晶體管（FET）特性的半導體器件，能夠将光信號轉換為電信號并進行放大。以下是其核心要點：

普通光敏晶體管（如光電三極管）主要通過光電流直接放大信號，而光敏性場效晶體管通過電場控制實現更精準的電流調制，且集成度更高（）。

如需進一步了解器件參數或具體應用案例，可參考（）和（）的詳細技術說明。