分子束磊晶成松英文解释翻译、分子束磊晶成松的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 molecular beam epitaxy

【计】 mosecular beam
【化】 molecular beam

brilliant; crystal; glittering

become; fully grown; succeed

loose; looseness; not hard up; pine; relax; soft
【医】 pine; slake

分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy，MBE）是一种超高真空条件下制备单晶薄膜的半导体材料生长技术。"成松"一词可能存在表述误差，推测应为"成层"或"单晶生长"的简称。以下从技术原理与应用角度进行解释：

分子束技术原理
在真空环境中（压力通常低于$10^{-10}$ Torr），不同元素的分子束通过高温喷射源定向投射到加热的基底表面，通过精确控制分子束流强度、基底温度（约500-600°C）和生长速率（典型值0.1-1μm/h），实现原子级别的逐层生长。
磊晶（外延）特征
该技术通过晶格匹配原理，在单晶衬底上延伸生长出具有相同晶体取向的新材料层，可制备III-V族化合物半导体（如GaAs、InP）和二维材料异质结。其原子级控制精度可实现量子阱、超晶格等纳米结构。
半导体产业应用
主要应用于高频电子器件（HEMT）、激光二极管（LD）和量子计算芯片制造。美国贝尔实验室1970年代首次实现商业化应用，日本理化学研究所2023年报告显示，MBE技术制备的氮化镓器件已突破8GHz工作频率。
技术优势与局限
优势包括生长界面原子级平整度（表面粗糙度<0.1nm）和多元材料兼容性。但存在设备成本高（单台超500万美元）、生长速率低等限制，德国马普固体研究所建议结合MOCVD技术实现产业化互补。

“分子束磊晶成松”这一表述存在明显的翻译或书写错误，结合搜索结果和术语分析，其正确形式应为“分子束外延生长”（Molecular Beam Epitaxy, MBE）。以下是详细解释：

分子束（Molecular Beam）
指在真空环境中形成的高速定向分子流，常用于材料科学和半导体制造。其核心是分子在束流中保持独立运动状态（参考、3中关于“分子”的定义）。
磊晶（外延生长，Epitaxy）
指在单晶基底上沿特定方向生长出晶体结构的新材料层。此过程需要精确控制温度、压力和分子束流（参考的翻译内容）。
“成松”的纠误
原词中的“成松”可能是翻译或拼写错误。正确术语应为“外延生长”，对应英文epitaxy（中提及的“molecular beam epitaxy”）。
分子束外延（MBE）的应用
该技术用于制备高纯度半导体材料（如砷化镓、氮化镓），广泛应用于激光器、太阳能电池等精密器件制造。

用户查询的“分子束磊晶成松”应为“分子束外延生长（MBE）”，属于材料科学中的薄膜制备技术。建议在学术文献或工程领域使用标准术语以避免歧义。