分子束磊晶成松英文解釋翻譯、分子束磊晶成松的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 molecular beam epitaxy

【計】 mosecular beam
【化】 molecular beam

brilliant; crystal; glittering

become; fully grown; succeed

loose; looseness; not hard up; pine; relax; soft
【醫】 pine; slake

分子束磊晶（Molecular Beam Epitaxy，MBE）是一種超高真空條件下制備單晶薄膜的半導體材料生長技術。"成松"一詞可能存在表述誤差，推測應為"成層"或"單晶生長"的簡稱。以下從技術原理與應用角度進行解釋：

分子束技術原理
在真空環境中（壓力通常低于$10^{-10}$ Torr），不同元素的分子束通過高溫噴射源定向投射到加熱的基底表面，通過精确控制分子束流強度、基底溫度（約500-600°C）和生長速率（典型值0.1-1μm/h），實現原子級别的逐層生長。
磊晶（外延）特征
該技術通過晶格匹配原理，在單晶襯底上延伸生長出具有相同晶體取向的新材料層，可制備III-V族化合物半導體（如GaAs、InP）和二維材料異質結。其原子級控制精度可實現量子阱、超晶格等納米結構。
半導體産業應用
主要應用于高頻電子器件（HEMT）、激光二極管（LD）和量子計算芯片制造。美國貝爾實驗室1970年代首次實現商業化應用，日本理化學研究所2023年報告顯示，MBE技術制備的氮化镓器件已突破8GHz工作頻率。
技術優勢與局限
優勢包括生長界面原子級平整度（表面粗糙度<0.1nm）和多元材料兼容性。但存在設備成本高（單台超500萬美元）、生長速率低等限制，德國馬普固體研究所建議結合MOCVD技術實現産業化互補。

“分子束磊晶成松”這一表述存在明顯的翻譯或書寫錯誤，結合搜索結果和術語分析，其正确形式應為“分子束外延生長”（Molecular Beam Epitaxy, MBE）。以下是詳細解釋：

分子束（Molecular Beam）
指在真空環境中形成的高速定向分子流，常用于材料科學和半導體制造。其核心是分子在束流中保持獨立運動狀态（參考、3中關于“分子”的定義）。
磊晶（外延生長，Epitaxy）
指在單晶基底上沿特定方向生長出晶體結構的新材料層。此過程需要精确控制溫度、壓力和分子束流（參考的翻譯内容）。
“成松”的糾誤
原詞中的“成松”可能是翻譯或拼寫錯誤。正确術語應為“外延生長”，對應英文epitaxy（中提及的“molecular beam epitaxy”）。
分子束外延（MBE）的應用
該技術用于制備高純度半導體材料（如砷化镓、氮化镓），廣泛應用于激光器、太陽能電池等精密器件制造。

用戶查詢的“分子束磊晶成松”應為“分子束外延生長（MBE）”，屬于材料科學中的薄膜制備技術。建議在學術文獻或工程領域使用标準術語以避免歧義。