存取时间间隙英文解释翻译、存取时间间隙的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 access time gap

分词翻译：

存取时间的英语翻译：

access time
【计】 store access time

间隙的英语翻译：

clear; clearance; gap; interval; space
【化】 back lash; clearance; gap; play; slack
【医】 clearance; diastem; diastema; interspace; space; spatia; spatium

专业解析

在计算机存储技术领域，"存取时间间隙"（英文：Access Time Gap 或Memory Timing Gap）指存储器完成一次数据读写操作后，到下一次操作可以开始前必须等待的最小时间间隔。该参数是衡量存储器性能的关键时序指标之一，直接影响系统整体速度与稳定性。以下是详细解析：

一、核心定义与技术原理

存取时序周期
存储器完整的操作周期包含存取时间（Access Time）和时间间隙（Time Gap）两部分：
- 存取时间：从发出读写指令到数据准备就绪的耗时（如DRAM的tRCD、tCAS）。
- 时间间隙：操作结束到下一次指令可执行的强制等待期（如tRP、tRAS），用于内部电路复位或预充电。
  公式表示为：
  
  $$ text{Cycle Time} = text{Access Time} + text{Time Gap} $$
物理成因
间隙时间由存储器物理特性决定：
- DRAM：需关闭当前行（行预充电时间tRP），或等待电容刷新（刷新周期tRFC）。
- SRAM：较短的恢复时间（tRC），用于位线电压平衡。
- NAND Flash：块擦除后的电荷稳定时间（tBERS）。

二、行业应用与影响

性能瓶颈
时间间隙过长会限制高频操作，例如DDR5内存通过降低tRAS/tRP提升带宽（来源：JEDEC DDR5标准。
系统稳定性
间隙不足会导致数据冲突，如SSD控制器需严格遵循NAND的tADL（地址锁存延迟）避免读干扰（来源：ONFI 4.2规范。
优化技术
- 流水线架构：隐藏部分间隙时间（CPU缓存常用）。
- Bank分组：DRAM中交替访问不同Bank规避等待（来源：Micron技术白皮书。

三、权威术语对照

中文术语	英文术语	定义场景
存取时间间隙	Access Time Gap	通用硬件时序描述
行预充电时间	Row Precharge Time (tRP)	DRAM行操作间隔
命令禁止周期	Command Prohibition Period	SSD控制器指令队列管理

参考文献

JEDEC. DDR5 SDRAM Standard (JESD79-5)
Open NAND Flash Interface Working Group. ONFI 4.2 Specification
Micron Technology. DRAM System Timing Parameters (TN-41-01)

网络扩展解释

“存取时间间隙”是计算机领域的专业术语，主要涉及内存或存储设备的工作时序。以下是详细解释：

1.基本定义

存取时间（Access Time）：指CPU从内存中读取或写入数据所需的完整过程时间。例如，读取操作从CPU发出指令开始，到内存返回数据为止的总耗时。
间隙（Gap）：在计算机术语中，通常指两次操作之间的最小时间间隔，用于确保设备稳定性和信号完整性。

2.存取时间间隙的含义

该词通常指连续两次存取操作之间必须等待的最小时间间隔，即“存储周期”（Storage Cycle）。例如，内存完成一次读取后，需等待一定时间才能启动下一次操作，此间隔即为存取时间间隙。

3.技术参数与单位

单位：以纳秒（ns）度量，常见值为60ns、120ns等。数值越小，表示设备性能越高。
典型场景：若内存存取时间为80ns，存储周期（间隙）可能为100ns，表明两次操作需间隔20ns。

4.实际意义

避免信号冲突：确保前一次操作的电信号完全消失后，再执行下一次操作。
硬件设计依据：计算机主板和内存控制器需根据此参数设计时序电路。

5.相关概念对比

术语	定义	典型值
存取时间	单次读写操作总耗时	60-80ns
存取时间间隙	两次操作的最小间隔（存储周期）	80-120ns

如需进一步了解存储周期计算或实际应用案例，可参考（计算机内存时序）或（存取时间单位解析）。