存取時間間隙英文解釋翻譯、存取時間間隙的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 access time gap

分詞翻譯：

存取時間的英語翻譯：

access time
【計】 store access time

間隙的英語翻譯：

clear; clearance; gap; interval; space
【化】 back lash; clearance; gap; play; slack
【醫】 clearance; diastem; diastema; interspace; space; spatia; spatium

專業解析

在計算機存儲技術領域，"存取時間間隙"（英文：Access Time Gap 或Memory Timing Gap）指存儲器完成一次數據讀寫操作後，到下一次操作可以開始前必須等待的最小時間間隔。該參數是衡量存儲器性能的關鍵時序指标之一，直接影響系統整體速度與穩定性。以下是詳細解析：

一、核心定義與技術原理

存取時序周期
存儲器完整的操作周期包含存取時間（Access Time）和時間間隙（Time Gap）兩部分：
- 存取時間：從發出讀寫指令到數據準備就緒的耗時（如DRAM的tRCD、tCAS）。
- 時間間隙：操作結束到下一次指令可執行的強制等待期（如tRP、tRAS），用于内部電路複位或預充電。
  公式表示為：
  
  $$ text{Cycle Time} = text{Access Time} + text{Time Gap} $$
物理成因
間隙時間由存儲器物理特性決定：
- DRAM：需關閉當前行（行預充電時間tRP），或等待電容刷新（刷新周期tRFC）。
- SRAM：較短的恢複時間（tRC），用于位線電壓平衡。
- NAND Flash：塊擦除後的電荷穩定時間（tBERS）。

二、行業應用與影響

性能瓶頸
時間間隙過長會限制高頻操作，例如DDR5内存通過降低tRAS/tRP提升帶寬（來源：JEDEC DDR5标準。
系統穩定性
間隙不足會導緻數據沖突，如SSD控制器需嚴格遵循NAND的tADL（地址鎖存延遲）避免讀幹擾（來源：ONFI 4.2規範。
優化技術
- 流水線架構：隱藏部分間隙時間（CPU緩存常用）。
- Bank分組：DRAM中交替訪問不同Bank規避等待（來源：Micron技術白皮書。

三、權威術語對照

中文術語	英文術語	定義場景
存取時間間隙	Access Time Gap	通用硬件時序描述
行預充電時間	Row Precharge Time (tRP)	DRAM行操作間隔
命令禁止周期	Command Prohibition Period	SSD控制器指令隊列管理

參考文獻

JEDEC. DDR5 SDRAM Standard (JESD79-5)
Open NAND Flash Interface Working Group. ONFI 4.2 Specification
Micron Technology. DRAM System Timing Parameters (TN-41-01)

網絡擴展解釋

“存取時間間隙”是計算機領域的專業術語，主要涉及内存或存儲設備的工作時序。以下是詳細解釋：

1.基本定義

存取時間（Access Time）：指CPU從内存中讀取或寫入數據所需的完整過程時間。例如，讀取操作從CPU發出指令開始，到内存返回數據為止的總耗時。
間隙（Gap）：在計算機術語中，通常指兩次操作之間的最小時間間隔，用于确保設備穩定性和信號完整性。

2.存取時間間隙的含義

該詞通常指連續兩次存取操作之間必須等待的最小時間間隔，即“存儲周期”（Storage Cycle）。例如，内存完成一次讀取後，需等待一定時間才能啟動下一次操作，此間隔即為存取時間間隙。

3.技術參數與單位

單位：以納秒（ns）度量，常見值為60ns、120ns等。數值越小，表示設備性能越高。
典型場景：若内存存取時間為80ns，存儲周期（間隙）可能為100ns，表明兩次操作需間隔20ns。

4.實際意義

避免信號沖突：确保前一次操作的電信號完全消失後，再執行下一次操作。
硬件設計依據：計算機主闆和内存控制器需根據此參數設計時序電路。

5.相關概念對比

術語	定義	典型值
存取時間	單次讀寫操作總耗時	60-80ns
存取時間間隙	兩次操作的最小間隔（存儲周期）	80-120ns

如需進一步了解存儲周期計算或實際應用案例，可參考（計算機内存時序）或（存取時間單位解析）。