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低阻抗开关管英文解释翻译、低阻抗开关管的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 low-impedance switching tube

分词翻译:

低的英语翻译:

hang down; low; lowness
【医】 hyp-; hypo-

阻抗的英语翻译:

impedance
【计】 Z
【化】 electrical impedance; impedance
【医】 impedance

开关管的英语翻译:

【医】 switch valves

专业解析

低阻抗开关管(Low-Impedance Switching Transistor)是一种专门设计用于高效切换电流路径的半导体器件,其核心特征在于导通状态下呈现极低的电阻(阻抗)。以下是基于电子工程角度的详细解释:

一、术语定义与核心特性

  1. 汉英对照

    • 中文:低阻抗开关管
    • 英文:Low-Impedance Switching Transistor
    • 简称:LIS Transistor(常见于技术文档)
  2. 低阻抗的含义

    指器件在导通状态(ON-state)时的源极-漏极电阻($R{DS(on)}$)极低,通常为毫欧级(mΩ)。其阻抗公式可表示为:

    $$ Z{on} = R{DS(on)} + jX $$

    其中 $X$ 为电抗分量,在直流或低频应用中可忽略,故 $Z{on} approx R_{DS(on)}$。

  3. 开关功能

    通过栅极电压控制导通/关断,实现电流路径的高速切换(纳秒级响应),适用于 PWM(脉宽调制)等动态电路。


二、技术原理与设计目标

  1. 降低损耗的关键

    根据焦耳定律 $P{loss} = I cdot R{DS(on)}$,低 $R_{DS(on)}$ 可显著减少导通状态的能量损耗,提升系统效率(如电源转换器效率可达 >95%)。

  2. 结构优化

    采用超结(Superjunction)或沟槽栅(Trench Gate)工艺,增大沟道宽长比($W/L$),缩短载流子路径,从而降低电阻。

  3. 材料演进

    硅基(Si)器件逐步被碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)替代,后者具有更高的电子迁移率,进一步降低 $R_{DS(on)}$ 并提升开关速度。


三、典型应用场景

  1. 功率转换系统

    • DC-DC 转换器:用于笔记本电脑、服务器电源
    • 逆变器:太阳能光伏系统、电动汽车驱动
    • 引用来源:IEEE Transactions on Power Electronics 对 SiC MOSFET 在光伏逆变器的研究
  2. 电路保护

    作为固态继电器(SSR)的核心组件,替代机械继电器,实现无火花通断(如电池管理系统过流保护)。


四、权威参数标准(参考 JEDEC 规范)

参数 典型值 测试条件
$R_{DS(on)}$ 1–50 mΩ $V_{GS}=10V$, $I_D=20A$
开关时间 < 100 ns $V_{DS}=100V$
最大结温 150–175°C 依材料而定

安全提示:实际设计需考虑热阻($R_{theta JA}$)与散热,避免热失效。


参考文献
  1. 功率半导体器件基础(美国电力电子研究中心)

    https://www.cpre.org/resources/power-semiconductor-fundamentals

  2. IEEE 功率器件标准 JESD24-7(JEDEC 固态技术协会)

    https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd24-7

  3. 宽禁带半导体技术白皮书(CREE Wolfspeed)

    https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/sic-mosfet-technology

网络扩展解释

“低阻抗开关管”是电子工程领域中的专业术语,其含义可从以下角度分析:

1.基本定义

2.结构特点

3.核心作用

4.应用场景

5.与其他器件的区别

总结来看,低阻抗开关管通过优化导通阻抗和开关速度,在高效能电子设备中扮演关键角色。如需更详细参数(如具体型号、阻抗范围),可参考电子元件手册或专业文献。

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