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低阻抗開關管英文解釋翻譯、低阻抗開關管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 low-impedance switching tube

分詞翻譯:

低的英語翻譯:

hang down; low; lowness
【醫】 hyp-; hypo-

阻抗的英語翻譯:

impedance
【計】 Z
【化】 electrical impedance; impedance
【醫】 impedance

開關管的英語翻譯:

【醫】 switch valves

專業解析

低阻抗開關管(Low-Impedance Switching Transistor)是一種專門設計用于高效切換電流路徑的半導體器件,其核心特征在于導通狀态下呈現極低的電阻(阻抗)。以下是基于電子工程角度的詳細解釋:

一、術語定義與核心特性

  1. 漢英對照

    • 中文:低阻抗開關管
    • 英文:Low-Impedance Switching Transistor
    • 簡稱:LIS Transistor(常見于技術文檔)
  2. 低阻抗的含義

    指器件在導通狀态(ON-state)時的源極-漏極電阻($R{DS(on)}$)極低,通常為毫歐級(mΩ)。其阻抗公式可表示為:

    $$ Z{on} = R{DS(on)} + jX $$

    其中 $X$ 為電抗分量,在直流或低頻應用中可忽略,故 $Z{on} approx R_{DS(on)}$。

  3. 開關功能

    通過栅極電壓控制導通/關斷,實現電流路徑的高速切換(納秒級響應),適用于 PWM(脈寬調制)等動态電路。


二、技術原理與設計目标

  1. 降低損耗的關鍵

    根據焦耳定律 $P{loss} = I cdot R{DS(on)}$,低 $R_{DS(on)}$ 可顯著減少導通狀态的能量損耗,提升系統效率(如電源轉換器效率可達 >95%)。

  2. 結構優化

    采用超結(Superjunction)或溝槽栅(Trench Gate)工藝,增大溝道寬長比($W/L$),縮短載流子路徑,從而降低電阻。

  3. 材料演進

    矽基(Si)器件逐步被碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)替代,後者具有更高的電子遷移率,進一步降低 $R_{DS(on)}$ 并提升開關速度。


三、典型應用場景

  1. 功率轉換系統

    • DC-DC 轉換器:用于筆記本電腦、服務器電源
    • 逆變器:太陽能光伏系統、電動汽車驅動
    • 引用來源:IEEE Transactions on Power Electronics 對 SiC MOSFET 在光伏逆變器的研究
  2. 電路保護

    作為固态繼電器(SSR)的核心組件,替代機械繼電器,實現無火花通斷(如電池管理系統過流保護)。


四、權威參數标準(參考 JEDEC 規範)

參數 典型值 測試條件
$R_{DS(on)}$ 1–50 mΩ $V_{GS}=10V$, $I_D=20A$
開關時間 < 100 ns $V_{DS}=100V$
最大結溫 150–175°C 依材料而定

安全提示:實際設計需考慮熱阻($R_{theta JA}$)與散熱,避免熱失效。


參考文獻
  1. 功率半導體器件基礎(美國電力電子研究中心)

    https://www.cpre.org/resources/power-semiconductor-fundamentals

  2. IEEE 功率器件标準 JESD24-7(JEDEC 固态技術協會)

    https://www.jedec.org/standards-documents/docs/jesd24-7

  3. 寬禁帶半導體技術白皮書(CREE Wolfspeed)

    https://www.wolfspeed.com/knowledge-center/sic-mosfet-technology

網絡擴展解釋

“低阻抗開關管”是電子工程領域中的專業術語,其含義可從以下角度分析:

1.基本定義

2.結構特點

3.核心作用

4.應用場景

5.與其他器件的區别

總結來看,低阻抗開關管通過優化導通阻抗和開關速度,在高效能電子設備中扮演關鍵角色。如需更詳細參數(如具體型號、阻抗範圍),可參考電子元件手冊或專業文獻。

分類

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