低注入情况英文解释翻译、低注入情况的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 low injection condition

分词翻译：

低的英语翻译：

hang down; low; lowness
【医】 hyp-; hypo-

注入的英语翻译：

infuse; inject; afflux; breathe into; fall into; pour into
【计】 implanted
【化】 injection; pour into
【医】 abouchement; Inf.; influx; infunde; infusion
【经】 injection

情况的英语翻译：

circumstances; condition; case; complexion; instance; situation; thing
【医】 asiminine asis; condition; state; status
【经】 condition; position

专业解析

在半导体物理与器件领域，“低注入情况”（Low-Level Injection）是一个描述特定载流子浓度状态的专业术语。其核心含义如下：

低注入情况 (Low-Level Injection)

指在半导体中，由外部刺激（如光照、电注入）引入的非平衡少数载流子浓度远小于该区域热平衡状态下的多数载流子浓度的情况。

核心特征与物理意义：

浓度关系：以N型半导体为例，设其平衡电子浓度（多数载流子）为 (n_0)，平衡空穴浓度（少数载流子）为 (p_0)。在低注入下，注入产生的非平衡少数载流子（空穴）浓度 (Delta p) 满足： $$ Delta p ll n_0 $$ 同理，对于P型半导体，非平衡电子浓度 (Delta n ll p_0)。
多数载流子近似不变：由于注入的少数载流子浓度很低，为了维持电中性，多数载流子浓度也会发生微小的变化 ((Delta n approx Delta p))，但这个变化量相对于其巨大的平衡浓度 ((n_0) 或 (p_0)) 来说可以忽略不计。因此，在低注入条件下，多数载流子浓度可以近似认为等于其热平衡值。
复合率线性化：低注入情况下的一个重要结果是，少数载流子的净复合率 (U) 与其非平衡少数载流子浓度 ((Delta n) 或 (Delta p)) 成正比： $$ U = frac{Delta n}{tau_n} quad text{(对于P型半导体中的电子)} quad text{或} quad U = frac{Delta p}{tau_p} quad text{(对于N型半导体中的空穴)} $$ 其中 (tau_n) 和 (tau_p) 分别是电子和空穴的少子寿命。这种线性关系极大地简化了载流子输运方程的分析。
应用范围：低注入条件是分析大多数半导体器件（如二极管、双极晶体管）在小信号工作状态或较低偏压/光照强度下的基础假设。此时器件的电流-电压特性、电容特性等往往表现出线性或近似线性的行为。

汉英对照关键术语：

低注入情况： Low-Level Injection
载流子： Carrier
多数载流子： Majority Carrier
少数载流子： Minority Carrier
非平衡载流子： Nonequilibrium Carrier
热平衡： Thermal Equilibrium
浓度： Concentration
复合率： Recombination Rate
少子寿命： Minority Carrier Lifetime

权威参考来源：

施敏 (S. M. Sze), 《半导体器件物理》 (Physics of Semiconductor Devices): 这是半导体器件领域的经典教材和权威参考书。书中详细阐述了载流子统计、输运过程以及低注入条件的定义及其在器件物理中的核心作用。该定义被广泛引用和认可。
- 来源： S. M. Sze and Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices (3rd Edition). Wiley, 2006. (Chapter 2: Carrier Concentration and Chapter 4: p-n Junction Diode I: Basic Behaviors)
IEEE Xplore Digital Library: 作为电气电子工程师学会的文献数据库，IEEE Xplore收录了大量经过同行评审的期刊论文和会议论文。其中涉及半导体物理、器件建模和特性分析的研究论文，均建立在低注入、高注入等基本概念之上，并遵循标准的定义。
- 来源： IEEE Xplore Digital Library (可通过关键词 "low-level injection", "semiconductor device physics", "minority carrier" 等检索相关文献)

网络扩展解释

“低注入情况”与“低灌注”可能因发音或拼写相近而被混淆，需分两种情况解释：

一、电学领域的“低注入情况”（Low Injection Condition）

该术语属于半导体物理概念，指在半导体器件中载流子（电子或空穴）的注入浓度较低的状态。这种情况下，载流子的浓度远低于材料本身的掺杂浓度，可能影响器件导电性能。此概念多用于二极管、晶体管等电子元件的工作特性分析。

二、医学领域的“低灌注”（Hypoperfusion）

若用户实际询问的是“低灌注”，则指身体组织或器官的血液供应不足，常见于以下情况：

定义与机制
因心脏泵血能力下降、血管狭窄/阻塞、血压过低（如低于90/60mmHg）等因素，导致组织缺氧和代谢废物堆积。
常见症状
包括头晕、乏力、四肢发冷、皮肤苍白，严重时可引发心慌、意识模糊甚至器官衰竭。
高风险人群与治疗
- 高血压患者过度降压（如脑梗患者血压骤降可能诱发分水岭脑梗死）；
- 需通过改善血管功能、调整药物剂量（如联合中药活血化瘀）或补充血容量等方式干预。

提示：若您需要了解电学专业术语的详细参数，建议查阅电子工程类文献；若关注健康问题，请以“低灌注”为准，必要时咨询医生。