低注入情況英文解釋翻譯、低注入情況的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 low injection condition

分詞翻譯：

低的英語翻譯：

hang down; low; lowness
【醫】 hyp-; hypo-

注入的英語翻譯：

infuse; inject; afflux; breathe into; fall into; pour into
【計】 implanted
【化】 injection; pour into
【醫】 abouchement; Inf.; influx; infunde; infusion
【經】 injection

情況的英語翻譯：

circumstances; condition; case; complexion; instance; situation; thing
【醫】 asiminine asis; condition; state; status
【經】 condition; position

專業解析

在半導體物理與器件領域，“低注入情況”（Low-Level Injection）是一個描述特定載流子濃度狀态的專業術語。其核心含義如下：

低注入情況 (Low-Level Injection)

指在半導體中，由外部刺激（如光照、電注入）引入的非平衡少數載流子濃度遠小于該區域熱平衡狀态下的多數載流子濃度的情況。

核心特征與物理意義：

濃度關系：以N型半導體為例，設其平衡電子濃度（多數載流子）為 (n_0)，平衡空穴濃度（少數載流子）為 (p_0)。在低注入下，注入産生的非平衡少數載流子（空穴）濃度 (Delta p) 滿足： $$ Delta p ll n_0 $$ 同理，對于P型半導體，非平衡電子濃度 (Delta n ll p_0)。
多數載流子近似不變：由于注入的少數載流子濃度很低，為了維持電中性，多數載流子濃度也會發生微小的變化 ((Delta n approx Delta p))，但這個變化量相對于其巨大的平衡濃度 ((n_0) 或 (p_0)) 來說可以忽略不計。因此，在低注入條件下，多數載流子濃度可以近似認為等于其熱平衡值。
複合率線性化：低注入情況下的一個重要結果是，少數載流子的淨複合率 (U) 與其非平衡少數載流子濃度 ((Delta n) 或 (Delta p)) 成正比： $$ U = frac{Delta n}{tau_n} quad text{(對于P型半導體中的電子)} quad text{或} quad U = frac{Delta p}{tau_p} quad text{(對于N型半導體中的空穴)} $$ 其中 (tau_n) 和 (tau_p) 分别是電子和空穴的少子壽命。這種線性關系極大地簡化了載流子輸運方程的分析。
應用範圍：低注入條件是分析大多數半導體器件（如二極管、雙極晶體管）在小信號工作狀态或較低偏壓/光照強度下的基礎假設。此時器件的電流-電壓特性、電容特性等往往表現出線性或近似線性的行為。

漢英對照關鍵術語：

低注入情況： Low-Level Injection
載流子： Carrier
多數載流子： Majority Carrier
少數載流子： Minority Carrier
非平衡載流子： Nonequilibrium Carrier
熱平衡： Thermal Equilibrium
濃度： Concentration
複合率： Recombination Rate
少子壽命： Minority Carrier Lifetime

權威參考來源：

施敏 (S. M. Sze), 《半導體器件物理》 (Physics of Semiconductor Devices): 這是半導體器件領域的經典教材和權威參考書。書中詳細闡述了載流子統計、輸運過程以及低注入條件的定義及其在器件物理中的核心作用。該定義被廣泛引用和認可。
- 來源： S. M. Sze and Kwok K. Ng, Physics of Semiconductor Devices (3rd Edition). Wiley, 2006. (Chapter 2: Carrier Concentration and Chapter 4: p-n Junction Diode I: Basic Behaviors)
IEEE Xplore Digital Library: 作為電氣電子工程師學會的文獻數據庫，IEEE Xplore收錄了大量經過同行評審的期刊論文和會議論文。其中涉及半導體物理、器件建模和特性分析的研究論文，均建立在低注入、高注入等基本概念之上，并遵循标準的定義。
- 來源： IEEE Xplore Digital Library (可通過關鍵詞 "low-level injection", "semiconductor device physics", "minority carrier" 等檢索相關文獻)

網絡擴展解釋

“低注入情況”與“低灌注”可能因發音或拼寫相近而被混淆，需分兩種情況解釋：

一、電學領域的“低注入情況”（Low Injection Condition）

該術語屬于半導體物理概念，指在半導體器件中載流子（電子或空穴）的注入濃度較低的狀态。這種情況下，載流子的濃度遠低于材料本身的摻雜濃度，可能影響器件導電性能。此概念多用于二極管、晶體管等電子元件的工作特性分析。

二、醫學領域的“低灌注”（Hypoperfusion）

若用戶實際詢問的是“低灌注”，則指身體組織或器官的血液供應不足，常見于以下情況：

定義與機制
因心髒泵血能力下降、血管狹窄/阻塞、血壓過低（如低于90/60mmHg）等因素，導緻組織缺氧和代謝廢物堆積。
常見症狀
包括頭暈、乏力、四肢發冷、皮膚蒼白，嚴重時可引發心慌、意識模糊甚至器官衰竭。
高風險人群與治療
- 高血壓患者過度降壓（如腦梗患者血壓驟降可能誘發分水嶺腦梗死）；
- 需通過改善血管功能、調整藥物劑量（如聯合中藥活血化瘀）或補充血容量等方式幹預。

提示：若您需要了解電學專業術語的詳細參數，建議查閱電子工程類文獻；若關注健康問題，請以“低灌注”為準，必要時咨詢醫生。