本征缺陷英文解释翻译、本征缺陷的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 intrinsic defect; native defect

分词翻译：

本的英语翻译：

the root of a plant; this
【机】 aetioporphyrin

征的英语翻译：

ask for; go on a campaign; go on a journey; levy; sign
【医】 sign; signe; signum

缺陷的英语翻译：

blemish; bug; defect; drawback; flaw; limitation; objection; vice
【化】 imperfection
【医】 defect; vitium
【经】 defective

专业解析

本征缺陷（Intrinsic Defect）的汉英词典解释

在材料科学与半导体物理领域，本征缺陷（Intrinsic Defect）指晶体结构中由材料自身固有属性（如热力学平衡）引起的原子排列缺陷，不依赖外来杂质或外部条件。其英文对应术语为"intrinsic defect" 或"native defect"。

核心概念解析

定义与形成机制
本征缺陷是晶体在热平衡状态下自发形成的点缺陷，主要类型包括：
- 空位（Vacancy）：晶格中原子缺失的位置；
- 间隙原子（Interstitial atom）：原子挤入晶格间隙；
- 反位缺陷（Antisite defect）：化合物晶体中不同元素原子占据彼此位置（如GaAs中Ga原子占As位）。
  这些缺陷源于原子热振动导致的能量起伏，符合熵增原理。
与杂质缺陷的区别
本征缺陷区别于由掺杂或污染引入的杂质缺陷（Extrinsic Defect）。例如，硅晶体中的磷原子掺杂属于杂质缺陷，而硅原子空位是本征缺陷。

特征与影响

热力学主导：浓度由温度决定，遵循阿伦尼乌斯公式：
$$

C = C_0 expleft(-frac{E_f}{k_B T}right)

$$

其中 (E_f) 为缺陷形成能，(k_B) 为玻尔兹曼常数。

电学性质：在半导体中可充当施主/受主能级，影响载流子浓度（如GaAs中的砷空位受主行为）。

权威参考来源

教材定义

"本征缺陷是纯净晶体中因热力学平衡必然存在的缺陷。" —— 《材料科学基础》（ISBN 978-7-04-050673-5），高等教育出版社。
国际标准
国际纯粹与应用化学联合会（IUPAC）将本征缺陷归类为"非化学计量缺陷"，区别于杂质引入的缺陷（Compendium of Chemical Terminology, Gold Book, 2019）。

引用来源

Introduction to Solid State Physics (Charles Kittel, Wiley)
Semiconductor Material and Device Characterization (Dieter K. Schroder, Wiley)
Thermodynamics in Materials Science (Robert DeHoff, CRC Press)

网络扩展解释

“本征缺陷”是材料科学中的术语，指晶体内部因自身原子排列异常形成的缺陷，不依赖外来杂质。以下是详细解释：

1.定义与形成原因

本征缺陷是晶体在热力学平衡条件下，由组成晶体的原子（或离子）自身热运动引起的点缺陷。这类缺陷的产生与温度密切相关，温度升高时原子热振动加剧，可能脱离原位置形成空位或间隙原子。

2.主要类型

本征缺陷分为两类（参考）：

肖特基缺陷（Schottky Defect）：晶体表面或内部的原子迁移到其他位置，形成成对的空位（如正负离子空位同时产生），导致晶体体积增大。
弗兰克缺陷（Frenkel Defect）：原子离开原位置进入晶格间隙，形成空位和间隙原子共存的状态，晶体体积变化较小。

3.典型例子

纯硅或锗晶体中，高温下部分原子脱离晶格结点形成空位。
离子晶体（如NaCl）中，Cl⁻或Na⁺离子空位的成对出现属于肖特基缺陷。

4.与其他缺陷的对比

杂质缺陷：由外来原子引入，如掺杂半导体中的硼或磷原子。
电子缺陷：由能带结构变化引起，如半导体中的电子-空穴对。

5.影响与应用

本征缺陷会改变晶体的导电性、光学性质及机械性能。例如，半导体材料中本征缺陷的热激发是导电的基础；而陶瓷材料中的空位可能影响离子迁移率。

本征缺陷是晶体固有属性，区别于杂质缺陷，其类型和浓度受温度调控，对材料性能有重要影响。