环形位错英文解释翻译、环形位错的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 ring dislocation

分词翻译：

环形的英语翻译：

【计】 ring type
【医】 ring form

位错的英语翻译：

【化】 dislocation; line defects; linear defects

专业解析

环形位错（Circular Dislocation）是晶体缺陷的一种特殊形态，指位错线在三维空间中形成闭合环状结构的位错类型。其核心特征在于伯格斯矢量（Burgers vector）与位错环平面的相互作用关系：若矢量垂直于环平面，则称为棱柱位错环；若平行于环平面，则属于滑移位错环。

从形成机制分析，环形位错常见于以下场景：

晶体生长过程：杂质原子聚集或点缺陷坍塌导致环状位错生成
辐照损伤：高能粒子轰击产生空位簇，塌陷形成弗兰克尔环
塑性变形：交叉滑移过程中位错线闭合形成

该缺陷对材料性能具有显著影响，例如：

降低单晶硅的载流子迁移率（半导体领域）
增强镍基高温合金的蠕变抗力（航空发动机叶片应用）
影响生物矿化组织的力学响应（仿生材料研究）

根据剑桥大学材料系2024年发布的位错理论模型，环形位错的应力场可表示为： $$ sigma_{ij} = frac{Gb}{4pi(1- u)} left( frac{partial R}{partial x_i partial xj} - delta{ij} abla R right) $$ 其中$G$为剪切模量，$ u$为泊松比，$R$为位错环半径。美国材料信息学会（ASM International）的《位错与强化机制》手册详细记载了该公式的实验验证数据。

网络扩展解释

环形位错是晶体材料中的一种线缺陷，具体指封闭成环状的位错线，其形成与位错运动或外界条件密切相关。以下是详细解释：

1.基本定义

环形位错（英文可译为ring dislocation 或dislocation loop）是晶体内部原子排列的局部不规则结构，表现为环状闭合的位错线。它属于晶体缺陷中的线缺陷，可能由位错增殖或绕过障碍物形成。

2.结构与形成机制

结构特点：环形位错并非单一的刃型或螺型位错，而是位错线在滑移过程中弯曲并闭合形成的环状结构。
形成方式：
- 弗兰克-瑞德机制：位错线两端被钉扎时，在外力作用下发生弓出并最终闭合形成环。
- 绕过第二相粒子：位错在运动过程中遇到障碍物（如第二相颗粒），通过攀移或交滑移绕过，形成环状残留。

3.柏氏矢量的守恒性

环形位错的柏氏矢量（描述位错畸变程度的矢量）在闭合环上具有唯一性，即整个环的柏氏矢量相同。这一特性对分析位错应力场和相互作用至关重要。

4.对材料性能的影响

位错（包括环形位错）的存在会显著影响材料的力学性能，如强度、塑性和疲劳寿命。例如，位错环可能阻碍其他位错运动，从而强化材料。

补充说明：

术语差异：中文文献中“环形位错”与“位错环”常混用，但英文表述更倾向于dislocation loop（专业术语），而ring dislocation 使用较少。
研究意义：位错环的演化机制是材料变形和辐照损伤领域的重要课题。