扩散台面型晶体管英文解释翻译、扩散台面型晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 diffused-mesa trandidtor

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【计】 scattering
【化】 scatter
【医】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【医】 table

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

model; mould; type
【医】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【经】 type

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

扩散台面型晶体管（Diffused Mesa Transistor）是一种早期重要的半导体器件，其名称结合了核心制造工艺与物理结构特征。以下从汉英对照与技术原理角度进行解释：

扩散 (Diffused)
指制造过程中采用热扩散工艺，在高温下将杂质原子（如磷、硼）渗入半导体晶圆（通常为锗或硅），形成PN结。这是早期晶体管制造的关键技术。
台面型 (Mesa)
形容晶体管的三维结构特征。通过化学蚀刻在晶圆表面形成凸起的平台状区域（类似"台地"），使PN结暴露于表面，从而降低寄生电容，提升高频性能。
晶体管 (Transistor)
基于半导体材料的三端器件，通过输入信号控制输出电流，实现放大或开关功能。

结构组成
- 基区：通过扩散形成薄层，位于发射极与集电极之间。
- 台面蚀刻：隔离各电极，减少结面积以降低电容。
- 金属电极：通过引线连接发射极、基极和集电极。
性能优势
- 高频特性：台面结构减小结电容，适用于射频放大（如早期收音机、雷达）。
- 工艺可控性：扩散技术可精确控制掺杂浓度和结深。
技术局限
- 机械脆弱性：台面边缘易受损伤，需密封保护。
- 工艺复杂性：后被平面工艺取代（如二氧化硅钝化技术）。

扩散台面型晶体管是1950-60年代半导体工业的重要里程碑，代表从点接触晶体管向可量产器件的过渡。德州仪器（TI）于1954年推出的首款商用量产硅晶体管即采用此结构。其技术思想为后续平面晶体管及集成电路奠定基础。

参考来源：

扩散台面型晶体管是一种结合了扩散工艺和台面结构的半导体器件，其定义和特点可通过以下方面解释：

基本定义
该晶体管属于双极结型晶体管（BJT）的一种，其名称包含两个关键特征：
- 扩散工艺：基区或发射区的掺杂通过高温扩散技术实现，形成非均匀杂质浓度分布（表面浓度高，内部逐渐降低）。
- 台面结构：芯片表面通过蚀刻形成阶梯状凸起结构，类似“台阶”或“台地”形状，与平面晶体管的平坦表面形成对比。
结构特点
台面型设计通过选择性蚀刻半导体材料，暴露PN结边界，使结区位于台面边缘。这种结构可减少结电容，提升高频性能，但机械强度较平面晶体管稍弱。
制造工艺关联
扩散技术在此类晶体管中用于精确控制掺杂区域，形成基区漂移电场，加速载流子运动（漂移晶体管特性）。这种工艺与台面蚀刻步骤结合，是早期半导体制造的重要方法。
性能与应用
相比合金晶体管，扩散工艺使杂质分布更可控，适合高频应用；台面结构则有助于优化电场分布。此类晶体管在20世纪中后期常见于分立器件中，后逐渐被平面工艺取代。

需注意：现代主流晶体管多为平面型，台面型现多用于特殊场景（如高功率器件）。两者的核心差异在于表面结构工艺，而扩散技术仍是当前掺杂的主流方法之一。