擴散台面型晶體管英文解釋翻譯、擴散台面型晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 diffused-mesa trandidtor

diffuse; pervasion; proliferate; spread
【計】 scattering
【化】 scatter
【醫】 diffuse; diffusion; extensioin; generalization; generalize; irradiation

broadcasting station; dais; desk; platform; stage; support; table
【醫】 table

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【醫】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

model; mould; type
【醫】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【經】 type

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

擴散台面型晶體管（Diffused Mesa Transistor）是一種早期重要的半導體器件，其名稱結合了核心制造工藝與物理結構特征。以下從漢英對照與技術原理角度進行解釋：

擴散 (Diffused)
指制造過程中采用熱擴散工藝，在高溫下将雜質原子（如磷、硼）滲入半導體晶圓（通常為鍺或矽），形成PN結。這是早期晶體管制造的關鍵技術。
台面型 (Mesa)
形容晶體管的三維結構特征。通過化學蝕刻在晶圓表面形成凸起的平台狀區域（類似"台地"），使PN結暴露于表面，從而降低寄生電容，提升高頻性能。
晶體管 (Transistor)
基于半導體材料的三端器件，通過輸入信號控制輸出電流，實現放大或開關功能。

結構組成
- 基區：通過擴散形成薄層，位于發射極與集電極之間。
- 台面蝕刻：隔離各電極，減少結面積以降低電容。
- 金屬電極：通過引線連接發射極、基極和集電極。
性能優勢
- 高頻特性：台面結構減小結電容，適用于射頻放大（如早期收音機、雷達）。
- 工藝可控性：擴散技術可精确控制摻雜濃度和結深。
技術局限
- 機械脆弱性：台面邊緣易受損傷，需密封保護。
- 工藝複雜性：後被平面工藝取代（如二氧化矽鈍化技術）。

擴散台面型晶體管是1950-60年代半導體工業的重要裡程碑，代表從點接觸晶體管向可量産器件的過渡。德州儀器（TI）于1954年推出的首款商用量産矽晶體管即采用此結構。其技術思想為後續平面晶體管及集成電路奠定基礎。

參考來源：

擴散台面型晶體管是一種結合了擴散工藝和台面結構的半導體器件，其定義和特點可通過以下方面解釋：

基本定義
該晶體管屬于雙極結型晶體管（BJT）的一種，其名稱包含兩個關鍵特征：
- 擴散工藝：基區或發射區的摻雜通過高溫擴散技術實現，形成非均勻雜質濃度分布（表面濃度高，内部逐漸降低）。
- 台面結構：芯片表面通過蝕刻形成階梯狀凸起結構，類似“台階”或“台地”形狀，與平面晶體管的平坦表面形成對比。
結構特點
台面型設計通過選擇性蝕刻半導體材料，暴露PN結邊界，使結區位于台面邊緣。這種結構可減少結電容，提升高頻性能，但機械強度較平面晶體管稍弱。
制造工藝關聯
擴散技術在此類晶體管中用于精确控制摻雜區域，形成基區漂移電場，加速載流子運動（漂移晶體管特性）。這種工藝與台面蝕刻步驟結合，是早期半導體制造的重要方法。
性能與應用
相比合金晶體管，擴散工藝使雜質分布更可控，適合高頻應用；台面結構則有助于優化電場分布。此類晶體管在20世紀中後期常見于分立器件中，後逐漸被平面工藝取代。

需注意：現代主流晶體管多為平面型，台面型現多用于特殊場景（如高功率器件）。兩者的核心差異在于表面結構工藝，而擴散技術仍是當前摻雜的主流方法之一。