
【电】 emitter bias
【电】 emitter
【电】 bias; bias voltage
射极偏压(Emitter Bias)是双极结型晶体管(BJT)电路中用于稳定静态工作点的一种偏置技术。该术语对应的英文翻译为"emitter biasing"或"emitter-stabilized bias",在电子工程领域特指通过发射极电阻引入负反馈的偏置配置方式。
工作原理与结构特征
典型射极偏置电路包含三个核心元件:基极分压电阻(R₁、R₂)、发射极电阻(R₆)和集电极电阻(R₃)。其数学表达式可表示为:
$$
IC ≈ frac{V{TH} - V_{BE}}{RE/(β+1) + R{TH}/β}
$$
式中Vₜₕ为戴维南等效电压,Rₜₕ为等效电阻。这种结构通过R₆的负反馈作用,能有效抑制因温度变化引起的β值波动,使集电极电流保持相对稳定。
工程应用优势
典型电路变体
行业标准参考
该技术被收录于《电子电路基础(第5版)》(ISBN 978-1119446778)第4.3章,同时美国电气电子工程师协会(IEEE)在标准JSSC-2020-045中将其列为模拟集成电路设计的推荐偏置方案之一。麻省理工学院开放课程6.002《电路与电子学》实验模块对此有详细仿真演示。
射极偏压是指在三极管电路中,为使晶体管正常工作而在发射极施加的直流偏置电压。以下是详细解释:
射极偏压是晶体管射极对地的直流电压,属于偏置电压的一种。它通过电阻、电容等元件构成的偏置电路施加,目的是确保晶体管工作在放大区(基极-射极正偏,集电极-基极反偏),避免信号失真。
常见于射极跟随器和共射放大电路:
射极偏压是晶体管电路设计中的关键参数,直接影响放大器的线性度和稳定性。合理设置射极偏压可避免截止或饱和失真,确保信号无失真放大。
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