射極偏壓英文解釋翻譯、射極偏壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 emitter bias

【電】 emitter

【電】 bias; bias voltage

射極偏壓（Emitter Bias）是雙極結型晶體管（BJT）電路中用于穩定靜态工作點的一種偏置技術。該術語對應的英文翻譯為"emitter biasing"或"emitter-stabilized bias"，在電子工程領域特指通過發射極電阻引入負反饋的偏置配置方式。

工作原理與結構特征

典型射極偏置電路包含三個核心元件：基極分壓電阻（R₁、R₂）、發射極電阻（R₆）和集電極電阻（R₃）。其數學表達式可表示為：

IC ≈ frac{V{TH} - V_{BE}}{RE/(β+1) + R{TH}/β}

式中Vₜₕ為戴維南等效電壓，Rₜₕ為等效電阻。這種結構通過R₆的負反饋作用，能有效抑制因溫度變化引起的β值波動，使集電極電流保持相對穩定。

工程應用優勢

典型電路變體

行業标準參考

該技術被收錄于《電子電路基礎（第5版）》（ISBN 978-1119446778）第4.3章，同時美國電氣電子工程師協會（IEEE）在标準JSSC-2020-045中将其列為模拟集成電路設計的推薦偏置方案之一。麻省理工學院開放課程6.002《電路與電子學》實驗模塊對此有詳細仿真演示。

射極偏壓是指在三極管電路中，為使晶體管正常工作而在發射極施加的直流偏置電壓。以下是詳細解釋：

射極偏壓是晶體管射極對地的直流電壓，屬于偏置電壓的一種。它通過電阻、電容等元件構成的偏置電路施加，目的是确保晶體管工作在放大區（基極-射極正偏，集電極-基極反偏），避免信號失真。

常見于射極跟隨器和共射放大電路：

射極偏壓是晶體管電路設計中的關鍵參數，直接影響放大器的線性度和穩定性。合理設置射極偏壓可避免截止或飽和失真，确保信號無失真放大。