栅偏压英文解释翻译、栅偏压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 grid bias

【电】 bias; bias voltage

栅偏压（Grid Bias Voltage）是电子工程领域中的专业术语，指在真空管或场效应晶体管（FET）等电子器件中，施加于栅极（Grid）与阴极（Source/Cathode）之间的直流电压。该电压用于调节器件的工作状态，控制载流子的流动路径与导通程度。其核心作用包括：

建立静态工作点
栅偏压通过设定栅极电位，使器件处于线性放大区或截止区。例如，在N沟道增强型MOSFET中，正栅偏压可形成导电沟道，而负偏压可能完全关闭器件。
抑制非线性失真
在电子管放大电路中，合适的负栅偏压能防止栅极电流过大，避免信号波形畸变，这一原理在音频放大器设计中尤为重要（参考：IEEE电子器件协会基础术语手册）。
热稳定性补偿
采用自偏压电路时，栅偏压可随温度变化自动调整，抵消半导体材料载流子迁移率的热敏效应（来源：《半导体器件物理与工艺》，施敏著）。

相关概念中，截止偏压（Cut-off Bias）指使器件完全关闭的最小电压值，而夹断电压（Pinch-off Voltage）特指FET中沟道消失的临界栅偏压。美国专利局数据库（USPTO）收录的多项晶体管偏置电路设计专利表明，栅偏压的精确控制直接影响高频电路的信噪比与能效。

栅偏压是电子管或场效应管中用于控制电子流动的核心参数，具体解释如下：

栅偏压指施加在电子管栅极与阴极之间的直流电压。其作用是调节栅极与阴极之间的电场强度，从而控制电子从阴极流向阳极（屏极）的过程，最终影响电子管的放大性能或输出功率。

器件类型	栅偏压极性	典型范围	调控目的
三极管	负电压	-1V 至 -50V	防止栅极吸收电子
场效应管	正电压	0V 至 +1000V	增强沟道导通性

需特别注意供电电路的低噪声设计，因为栅压噪声会被后续放大电路显著放大。在真空管音响设备中，栅压精度直接影响音质表现，专业设备通常采用稳压电路控制偏差在±0.5V以内。