栅偏壓英文解釋翻譯、栅偏壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 grid bias

【電】 bias; bias voltage

栅偏壓（Grid Bias Voltage）是電子工程領域中的專業術語，指在真空管或場效應晶體管（FET）等電子器件中，施加于栅極（Grid）與陰極（Source/Cathode）之間的直流電壓。該電壓用于調節器件的工作狀态，控制載流子的流動路徑與導通程度。其核心作用包括：

建立靜态工作點
栅偏壓通過設定栅極電位，使器件處于線性放大區或截止區。例如，在N溝道增強型MOSFET中，正栅偏壓可形成導電溝道，而負偏壓可能完全關閉器件。
抑制非線性失真
在電子管放大電路中，合適的負栅偏壓能防止栅極電流過大，避免信號波形畸變，這一原理在音頻放大器設計中尤為重要（參考：IEEE電子器件協會基礎術語手冊）。
熱穩定性補償
采用自偏壓電路時，栅偏壓可隨溫度變化自動調整，抵消半導體材料載流子遷移率的熱敏效應（來源：《半導體器件物理與工藝》，施敏著）。

相關概念中，截止偏壓（Cut-off Bias）指使器件完全關閉的最小電壓值，而夾斷電壓（Pinch-off Voltage）特指FET中溝道消失的臨界栅偏壓。美國專利局數據庫（USPTO）收錄的多項晶體管偏置電路設計專利表明，栅偏壓的精确控制直接影響高頻電路的信噪比與能效。

栅偏壓是電子管或場效應管中用于控制電子流動的核心參數，具體解釋如下：

栅偏壓指施加在電子管栅極與陰極之間的直流電壓。其作用是調節栅極與陰極之間的電場強度，從而控制電子從陰極流向陽極（屏極）的過程，最終影響電子管的放大性能或輸出功率。

器件類型	栅偏壓極性	典型範圍	調控目的
三極管	負電壓	-1V 至 -50V	防止栅極吸收電子
場效應管	正電壓	0V 至 +1000V	增強溝道導通性

需特别注意供電電路的低噪聲設計，因為栅壓噪聲會被後續放大電路顯著放大。在真空管音響設備中，栅壓精度直接影響音質表現，專業設備通常采用穩壓電路控制偏差在±0.5V以内。