負阻電晶體英文解釋翻譯、負阻電晶體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 Dynistor

分詞翻譯：

負的英語翻譯：

bear; tote; shoulder; suffer; minus; negative; owe; rely on; lose
【醫】 Lift

阻的英語翻譯：

block; hinder; obstruct
【醫】 lock

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

晶體的英語翻譯：

crystal; crystalloid
【化】 crystal
【醫】 Crys.; crystal

專業解析

負阻電晶體（Negative Differential Resistance Transistor, NDRT）是一種具有負微分電阻特性的半導體器件。其核心表現為在特定電壓範圍内，電流隨電壓增加而減小的反常現象，這一特性由載流子隧穿效應或能帶結構突變引發。該器件在振蕩電路、高頻信號放大及低功耗邏輯電路中具有重要應用價值。

從結構上看，負阻電晶體通常采用異質結設計（如AlGaAs/GaAs）或量子阱結構，通過精确控制能帶工程實現負阻效應。相較于傳統晶體管的正向電阻特性，其負阻區間可通過偏置電壓主動調節，為電路設計提供非線性動态響應能力。

典型應用包括：

壓控振蕩器(VCO)：利用負阻補償諧振回路損耗
微波毫米波電路：在太赫茲頻段展現低相位噪聲特性
神經形态計算：模拟生物神經元脈沖觸發機制

該技術的最新進展可見于《IEEE Transactions on Electron Devices》關于二維材料（如MoS₂）基負阻晶體管的研究，其室溫下的穩定負阻特性為柔性電子器件發展提供了新方向。

網絡擴展解釋

負阻電晶體的英文翻譯為"Dynistor"（），屬于電子元件領域的專業術語。該術語由三部分構成：

負阻特性：指器件在特定工作區間表現出電壓增加時電流減小的特性，這種非線性電阻特性常見于某些特殊半導體器件。
電晶體：即晶體管（Transistor），表明這是一種固态半導體器件。

該元件的主要特點包括：

四層半導體結構（類似可控矽SCR）
具有快速開關功能
常用于高壓電路控制
在脈沖功率技術中作為開關元件使用

需要注意的是，該術語在實際工程中使用頻率較低，更多時候會使用具體器件型號或更通用的名稱如"負阻晶體管"來指代類似功能的元件。如需深入技術細節，建議查閱IEEE标準文獻或電力電子專業書籍進行确認。