
【电】 Dynistor
bear; tote; shoulder; suffer; minus; negative; owe; rely on; lose
【医】 Lift
block; hinder; obstruct
【医】 lock
electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal
负阻电晶体(Negative Differential Resistance Transistor, NDRT)是一种具有负微分电阻特性的半导体器件。其核心表现为在特定电压范围内,电流随电压增加而减小的反常现象,这一特性由载流子隧穿效应或能带结构突变引发。该器件在振荡电路、高频信号放大及低功耗逻辑电路中具有重要应用价值。
从结构上看,负阻电晶体通常采用异质结设计(如AlGaAs/GaAs)或量子阱结构,通过精确控制能带工程实现负阻效应。相较于传统晶体管的正向电阻特性,其负阻区间可通过偏置电压主动调节,为电路设计提供非线性动态响应能力。
典型应用包括:
该技术的最新进展可见于《IEEE Transactions on Electron Devices》关于二维材料(如MoS₂)基负阻晶体管的研究,其室温下的稳定负阻特性为柔性电子器件发展提供了新方向。
负阻电晶体的英文翻译为"Dynistor"(),属于电子元件领域的专业术语。该术语由三部分构成:
该元件的主要特点包括:
需要注意的是,该术语在实际工程中使用频率较低,更多时候会使用具体器件型号或更通用的名称如"负阻晶体管"来指代类似功能的元件。如需深入技术细节,建议查阅IEEE标准文献或电力电子专业书籍进行确认。
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