負存儲電荷英文解釋翻譯、負存儲電荷的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 negative stored charge

bear; tote; shoulder; suffer; minus; negative; owe; rely on; lose
【醫】 Lift

memory; storage
【計】 MU; storager
【經】 storage; store

charge; electric charge; electricity
【化】 electric charge
【醫】 charge

在電子工程與半導體物理領域，“負存儲電荷”指介質或半導體結構中因載流子捕獲效應累積的淨負電荷現象。該術語常與電容器、浮栅晶體管及非易失性存儲器技術相關聯。

從物理機制分析，負存儲電荷的形成源于以下過程：

電子注入與捕獲：高電場或熱激發條件下，電子脫離導電帶進入絕緣層陷阱能級，形成局部負電荷聚集（參考《IEEE Transactions on Electron Devices》電荷存儲模型；
界面态積累：半導體-氧化物界面缺陷捕獲電子，導緻表面電勢改變，典型場景如MOSFET栅氧層電荷存儲。

該現象直接影響器件性能，例如：

術語辨析：“負存儲電荷”不同于常規電容器的電荷存儲概念，特指非平衡态下由缺陷或設計結構導緻的穩定負電荷滞留，需通過Fowler-Nordheim隧穿或熱激發進行消除（《固态電子學基礎》。

“負存儲電荷”這一術語在不同語境下可能有不同解釋，以下是綜合整理：

基本定義
“負存儲電荷”指存儲介質中保留的負電荷狀态，通常表現為電子過剩的電荷形式。這種電荷具有同性相斥、異性相吸的特性。
電荷性質
- 負電荷的本質是物體因獲得額外電子而帶負電，例如毛皮摩擦橡膠棒後橡膠棒所帶電荷即為負電荷。
- 存儲的負電荷可能涉及能量保持，如在電容器或半導體器件中暫時保留電荷以實現特定功能。
應用領域
該術語在計算機或電子工程領域可能指代存儲設備（如内存單元）中通過電荷狀态表示二進制數據的物理現象。例如，動态隨機存取存儲器（DRAM）通過電容存儲電荷來保存信息。

注意：提到“負存儲電荷”對應英文“negative stored charge”，但該來源權威性較低，建議結合電子工程專業文獻進一步确認具體技術場景下的定義。