非退化半導體英文解釋翻譯、非退化半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 non-degenerate semiconductor

分詞翻譯：

非的英語翻譯：

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【計】 negate; NOT; not that
【醫】 non-

退化的英語翻譯：

degenerate; retrogress; degeneration; degradation; deterioration; obsolescence
retrogression
【醫】 catagenesis; catapiasia; cataplasis; Deg.; degeneracy; degenerate
degeneratio; degeneration; degenerescence; degradation; devolution
disvolution; involute; involution; regress; regression; retrogression
revisionary metamorphosis

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

專業解析

非退化半導體（Non-degenerate Semiconductor）的漢英詞典式解釋

1. 基礎定義（Basic Definition）

非退化半導體指載流子（電子或空穴）濃度較低，未達到“退化”狀态的半導體材料。其費米能級（Fermi level）位于禁帶（band gap）内，且遠離導帶底或價帶頂（通常距離 > 3kT）。此時載流子服從玻爾茲曼統計（Boltzmann statistics），而非費米-狄拉克統計（Fermi-Dirac statistics）。與之相對的是退化半導體（degenerate semiconductor），其載流子濃度極高，費米能級進入導帶或價帶，表現出類金屬特性。

2. 物理特性（Physical Characteristics）

載流子統計行為：非退化半導體的載流子分布滿足經典統計規律，即電子濃度 ( n ) 和空穴濃度 ( p ) 可近似表示為：
$$

n = N_c e^{-(E_c - E_f)/kT}, quad p = N_v e^{-(E_f - E_v)/kT}

$$

其中 ( N_c, N_v ) 為導帶和價帶有效态密度，( E_f ) 為費米能級，( E_c, E_v ) 為導帶底和價帶頂能量。

摻雜濃度阈值：以矽為例，室溫下當摻雜濃度低于 ( 10^{18} , text{cm}^{-3} ) 時通常視為非退化狀态，高于此值則可能發生退化。

3. 典型示例（Typical Examples）

輕摻雜矽（Lightly Doped Silicon）：如磷摻雜濃度 ( <10^{17} , text{cm}^{-3} ) 的n型矽，或硼摻雜濃度 ( <10^{17} , text{cm}^{-3} ) 的p型矽。
本征半導體（Intrinsic Semiconductors）：未摻雜或極低雜質濃度的材料（如高純鍺），其載流子由本征激發主導，必為非退化态。

4. 應用意義（Practical Significance）

非退化半導體是大多數傳統器件（如MOSFET、太陽能電池）的工作基礎。其載流子遷移率高、複合率低，利于實現可控的導電性與開關特性。而退化半導體（如重摻雜多晶矽）則用于歐姆接觸或隧穿結等特殊場景。

參考來源

半導體物理與器件（Neamen, D. A., Semiconductor Physics and Devices, McGraw-Hill, ISBN 978-0071089029），第4章載流子統計。
美國國家标準與技術研究院（NIST）術語庫，"Degenerate Semiconductor"詞條（鍊接）。

網絡擴展解釋

“非退化半導體”這一術語在常規半導體物理中并不常用，但結合學術語境推測，它可能指代非簡并半導體（Non-degenerate Semiconductor），即未達到“簡并态”的普通半導體狀态。以下是詳細解釋：

核心概念解析

半導體基礎特性
半導體導電性介于導體與絕緣體之間，其導電能力受溫度、光照、摻雜等因素顯著影響。常見材料包括矽（Si）、鍺（Ge）、砷化镓（GaAs）等。
簡并态與退化半導體
- 簡并态：當半導體摻雜濃度極高時，載流子（電子或空穴）濃度大幅增加，導緻費米能級進入導帶（N型）或價帶（P型），此時材料表現出類似金屬的導電性，稱為簡并半導體或退化半導體。
- 退化效應：高濃度摻雜下，載流子間的量子效應顯著，經典統計理論（如玻爾茲曼分布）不再適用，需改用費米-狄拉克分布描述。
非退化半導體（非簡并半導體）
指摻雜濃度適中、費米能級位于禁帶内的半導體。其特點包括：
- 載流子濃度較低，未達到簡并态阈值；
- 導電性可控，符合經典半導體理論；
- 溫度敏感性強，電阻率隨溫度變化明顯。

與退化半導體的對比

特性	非退化半導體	退化半導體
摻雜濃度	低至中等	極高
費米能級位置	禁帶内	進入導帶/價帶
導電機制	熱激發或摻雜主導	類似金屬的自由電子傳導
理論模型	玻爾茲曼分布	費米-狄拉克分布
典型應用	二極管、晶體管、太陽能電池	隧道二極管、高導電接觸層

補充說明

術語使用建議：學術文獻中更常用“簡并半導體”與“非簡并半導體”區分，而非“退化”一詞。若需深入理解，建議參考半導體物理教材中關于摻雜濃度與能帶結構的章節。
實際應用：非退化半導體是集成電路、光電器件的基礎材料，其性能可通過摻雜精準調控。

如需進一步探讨，可提供具體語境或應用場景以便更精準解釋。