非退化半导体英文解释翻译、非退化半导体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 non-degenerate semiconductor

分词翻译：

非的英语翻译：

blame; evildoing; have to; non-; not; wrong
【计】 negate; NOT; not that
【医】 non-

退化的英语翻译：

degenerate; retrogress; degeneration; degradation; deterioration; obsolescence
retrogression
【医】 catagenesis; catapiasia; cataplasis; Deg.; degeneracy; degenerate
degeneratio; degeneration; degenerescence; degradation; devolution
disvolution; involute; involution; regress; regression; retrogression
revisionary metamorphosis

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

专业解析

非退化半导体（Non-degenerate Semiconductor）的汉英词典式解释

1. 基础定义（Basic Definition）

非退化半导体指载流子（电子或空穴）浓度较低，未达到“退化”状态的半导体材料。其费米能级（Fermi level）位于禁带（band gap）内，且远离导带底或价带顶（通常距离 > 3kT）。此时载流子服从玻尔兹曼统计（Boltzmann statistics），而非费米-狄拉克统计（Fermi-Dirac statistics）。与之相对的是退化半导体（degenerate semiconductor），其载流子浓度极高，费米能级进入导带或价带，表现出类金属特性。

2. 物理特性（Physical Characteristics）

载流子统计行为：非退化半导体的载流子分布满足经典统计规律，即电子浓度 ( n ) 和空穴浓度 ( p ) 可近似表示为：
$$

n = N_c e^{-(E_c - E_f)/kT}, quad p = N_v e^{-(E_f - E_v)/kT}

$$

其中 ( N_c, N_v ) 为导带和价带有效态密度，( E_f ) 为费米能级，( E_c, E_v ) 为导带底和价带顶能量。

掺杂浓度阈值：以硅为例，室温下当掺杂浓度低于 ( 10^{18} , text{cm}^{-3} ) 时通常视为非退化状态，高于此值则可能发生退化。

3. 典型示例（Typical Examples）

轻掺杂硅（Lightly Doped Silicon）：如磷掺杂浓度 ( <10^{17} , text{cm}^{-3} ) 的n型硅，或硼掺杂浓度 ( <10^{17} , text{cm}^{-3} ) 的p型硅。
本征半导体（Intrinsic Semiconductors）：未掺杂或极低杂质浓度的材料（如高纯锗），其载流子由本征激发主导，必为非退化态。

4. 应用意义（Practical Significance）

非退化半导体是大多数传统器件（如MOSFET、太阳能电池）的工作基础。其载流子迁移率高、复合率低，利于实现可控的导电性与开关特性。而退化半导体（如重掺杂多晶硅）则用于欧姆接触或隧穿结等特殊场景。

参考来源

半导体物理与器件（Neamen, D. A., Semiconductor Physics and Devices, McGraw-Hill, ISBN 978-0071089029），第4章载流子统计。
美国国家标准与技术研究院（NIST）术语库，"Degenerate Semiconductor"词条（链接）。

网络扩展解释

“非退化半导体”这一术语在常规半导体物理中并不常用，但结合学术语境推测，它可能指代非简并半导体（Non-degenerate Semiconductor），即未达到“简并态”的普通半导体状态。以下是详细解释：

核心概念解析

半导体基础特性
半导体导电性介于导体与绝缘体之间，其导电能力受温度、光照、掺杂等因素显著影响。常见材料包括硅（Si）、锗（Ge）、砷化镓（GaAs）等。
简并态与退化半导体
- 简并态：当半导体掺杂浓度极高时，载流子（电子或空穴）浓度大幅增加，导致费米能级进入导带（N型）或价带（P型），此时材料表现出类似金属的导电性，称为简并半导体或退化半导体。
- 退化效应：高浓度掺杂下，载流子间的量子效应显著，经典统计理论（如玻尔兹曼分布）不再适用，需改用费米-狄拉克分布描述。
非退化半导体（非简并半导体）
指掺杂浓度适中、费米能级位于禁带内的半导体。其特点包括：
- 载流子浓度较低，未达到简并态阈值；
- 导电性可控，符合经典半导体理论；
- 温度敏感性强，电阻率随温度变化明显。

与退化半导体的对比

特性	非退化半导体	退化半导体
掺杂浓度	低至中等	极高
费米能级位置	禁带内	进入导带/价带
导电机制	热激发或掺杂主导	类似金属的自由电子传导
理论模型	玻尔兹曼分布	费米-狄拉克分布
典型应用	二极管、晶体管、太阳能电池	隧道二极管、高导电接触层

补充说明

术语使用建议：学术文献中更常用“简并半导体”与“非简并半导体”区分，而非“退化”一词。若需深入理解，建议参考半导体物理教材中关于掺杂浓度与能带结构的章节。
实际应用：非退化半导体是集成电路、光电器件的基础材料，其性能可通过掺杂精准调控。

如需进一步探讨，可提供具体语境或应用场景以便更精准解释。