反向參數設備英文解釋翻譯、反向參數設備的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯:
【電】 inverting parametric device
分詞翻譯:
反向的英語翻譯:
reverse
【計】 reverse direction
【醫】 entypy; inversion
參數的英語翻譯:
parameter
【計】 argument
【醫】 parameter
【經】 parameter
設備的英語翻譯:
equipment; facility; fixing; fixture; installation
【計】 device; implementor
【化】 equipment
【醫】 equipment; unit
【經】 equipment; facility; installation
專業解析
在電子工程領域,"反向參數設備"(Reverse Parameter Device)特指一類用于測量電子元器件在反向工作狀态下的關鍵電氣特性的測試設備或系統。以下是基于專業術語的漢英對照解釋及技術說明:
一、術語定義
- 中文全稱:反向參數設備
- 英文對應:Reverse Parameter Measurement Device
- 核心功能:量化半導體器件(如二極管、晶體管)在反向偏置條件下的電氣參數,例如反向擊穿電壓(Reverse Breakdown Voltage)、反向漏電流(Reverse Leakage Current)等。
二、關鍵測量參數
- 反向擊穿電壓(VBR)
器件在反向偏置下發生雪崩擊穿的臨界電壓值,單位為伏特(V)。該參數直接影響器件的耐壓可靠性 。
- 反向漏電流(IR)
反向偏置時流過器件的微小電流(通常為nA~μA級),反映器件的絕緣性能與能效 。
- 反向恢複時間(trr)
二極管從導通狀态切換到截止狀态時,電荷消散所需的時長,決定高頻開關性能 。
三、典型應用場景
- 半導體質檢:晶圓測試(Wafer Testing)中篩選缺陷器件,如檢測二極管的反向特性是否符合設計規格 。
- 功率器件開發:評估IGBT、MOSFET等功率器件的反向耐受能力,确保電源系統穩定性 。
- 失效分析:診斷器件因反向電壓過載導緻的物理損傷(如熱擊穿)。
四、技術原理
設備通過可編程電源施加反向偏壓,結合高精度電流表與示波器捕捉動态響應。測試過程需遵循國際标準(如JEDEC JESD22-A115)以确保數據可比性 。
權威參考來源:
- IEEE标準《半導體器件可靠性測試方法》(IEEE Std 1625)
- 美國電子工業協會(EIA)《二極管測試規範》(EIA-583-A)
- 國際電工委員會(IEC)标準IEC 60747《分立半導體器件測試導則》
網絡擴展解釋
“反向參數設備”一詞在常規詞典或技術術語庫中并無明确收錄,可能屬于非常規組合詞或特定領域的自創表述。以下基于詞義拆分和常規邏輯進行推測性解釋:
-
詞義分解
- 反向參數:可能指代參數的逆向調整邏輯(如逆向工程中的參數還原)或與常規參數設置相反的數值配置(如負反饋機制)。
- 設備:通常指代具有特定功能的物理裝置或軟件工具(如硬件設備、虛拟儀器等)。
-
潛在應用場景
該詞可能出現在以下領域:
- 逆向工程:用于複原設備原始設計參數的輔助工具;
- 自動化控制:通過反向參數校準設備性能(如PID控制器中的逆向調節);
- 計算機仿真:模拟設備在異常參數下的反向運行狀态。
由于現有搜索結果未提供直接關聯信息,建議您:
- 檢查術語準确性,确認是否為“反向參數設備”或類似表述(如“反向工程設備”);
- 補充具體應用場景或領域(如電子工程、軟件編程等),以便進一步分析。
分類
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