發射電位英文解釋翻譯、發射電位的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 firing potential

分詞翻譯：

發射的英語翻譯：

launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【醫】 emission

電位的英語翻譯：

【醫】 potential

專業解析

發射電位（Fāshè Diànwèi）的漢英詞典釋義與學術解析

發射電位在專業語境中存在多義性，需根據學科領域區分定義：

一、電子工程/物理學領域

漢語釋義：

指電子從材料表面逸出所需的最小能量或電壓阈值，常見于電子發射器件（如陰極射線管、場發射顯示器）。

英文對應：Emission Potential

定義：

材料表面電子克服功函數（Work Function）束縛所需的最小能量，通常以電子伏特（eV）或電壓（V）計量。其數值取決于材料性質及表面狀态。

機制與公式：

根據理查森-杜什曼方程（Richardson-Dushman Equation），熱電子發射電流密度（$J$）與溫度（$T$）、材料功函數（$Phi$）的關系為：

J = A T e^{-frac{Phi}{kT}}

其中 $A$ 為發射常數，$k$ 為玻爾茲曼常數。

應用場景：

真空電子器件陰極設計
掃描電子顯微鏡（SEM）電子槍優化
場緻發射陣列（FEA）開發

權威參考來源：

IEEE 電子器件協會：電子發射基礎術語标準（IEEE Standard 158-2020）
美國物理學會（APS）：《應用物理學評論》熱電子發射專題（Rev. Mod. Phys. 1949）

二、神經生物學領域

漢語釋義：

神經元産生動作電位（Action Potential）的臨界膜電位值，即細胞興奮的電壓阈值。

英文對應：Firing Threshold

定義：

當神經元膜電位去極化至約-55 mV（哺乳動物）時，電壓門控鈉離子通道大量開放，引發不可逆的動作電位發射。

機制與公式：

基于霍奇金-赫胥黎模型（Hodgkin-Huxley Model），膜電流方程：

I_m = C_m frac{dVm}{dt} + g{Na} m h (Vm - E{Na}) + g_K n (V_m - E_K) + g_L (V_m - E_L)

其中 $I_m$ 為膜電流，$C_m$ 為膜電容，$V_m$ 為膜電位，$g$ 為電導率，$E$ 為平衡電位。

應用場景：

神經電信號傳導研究
腦機接口（BCI）阈值檢測
癫痫等疾病機制分析

權威參考來源：

美國國立衛生研究院（NIH）：神經動作電位基礎（NIH神經科學教程）
《自然》期刊：神經元興奮性綜述（Nature Rev. Neurosci. 2012）

術語辨析要點

特征	電子工程領域	神經生物學領域
核心對象	材料表面電子	神經元膜電位
量綱單位	伏特（V）或電子伏特（eV）	毫伏（mV）
關鍵影響因素	功函數、電場強度	離子通道密度、膜電容
典型數值範圍	0.5–10 eV	-65 mV 至 -50 mV

注：中文“發射電位”需依上下文區分學科，避免歧義；英文術語需嚴格對應Emission Potential（工程）或Firing Threshold（神經科學）。

網絡擴展解釋

關于“發射電位”這一術語，目前可查的公開資料中并未提供直接對應的權威解釋。結合“電位”的基礎定義和相關領域推測，可能存在以下理解方向：

基礎概念參考
電位（電勢）指單位正電荷從電場中某點移動到無窮遠處時電場所做的功，其單位為伏特（V）。這一概念是電磁學中的核心物理量。
可能的專業場景延伸
- 電子發射領域：在電子器件（如真空管、場效應晶體管）中，“發射電位”可能指電子從材料表面逸出所需的最小電勢差，與“逸出功”相關。
- 生物電信號：在神經科學中，神經元産生動作電位時涉及電位的快速變化，但通常稱為“動作電位”而非“發射電位”。
建議
由于現有資料未明确該術語的定義，可能存在以下情況：
- 術語表述不常見，需結合具體領域（如特定文獻或行業标準）确認；
- 可能存在拼寫誤差，例如“發射極電位”（晶體管相關）或“發射電勢”。

如需進一步解答，建議提供更多上下文或核實術語準确性。