发射电位英文解释翻译、发射电位的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 firing potential

分词翻译：

发射的英语翻译：

launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【医】 emission

电位的英语翻译：

【医】 potential

专业解析

发射电位（Fāshè Diànwèi）的汉英词典释义与学术解析

发射电位在专业语境中存在多义性，需根据学科领域区分定义：

一、电子工程/物理学领域

汉语释义：

指电子从材料表面逸出所需的最小能量或电压阈值，常见于电子发射器件（如阴极射线管、场发射显示器）。

英文对应：Emission Potential

定义：

材料表面电子克服功函数（Work Function）束缚所需的最小能量，通常以电子伏特（eV）或电压（V）计量。其数值取决于材料性质及表面状态。

机制与公式：

根据理查森-杜什曼方程（Richardson-Dushman Equation），热电子发射电流密度（$J$）与温度（$T$）、材料功函数（$Phi$）的关系为：

J = A T e^{-frac{Phi}{kT}}

其中 $A$ 为发射常数，$k$ 为玻尔兹曼常数。

应用场景：

真空电子器件阴极设计
扫描电子显微镜（SEM）电子枪优化
场致发射阵列（FEA）开发

权威参考来源：

IEEE 电子器件协会：电子发射基础术语标准（IEEE Standard 158-2020）
美国物理学会（APS）：《应用物理学评论》热电子发射专题（Rev. Mod. Phys. 1949）

二、神经生物学领域

汉语释义：

神经元产生动作电位（Action Potential）的临界膜电位值，即细胞兴奋的电压阈值。

英文对应：Firing Threshold

定义：

当神经元膜电位去极化至约-55 mV（哺乳动物）时，电压门控钠离子通道大量开放，引发不可逆的动作电位发射。

机制与公式：

基于霍奇金-赫胥黎模型（Hodgkin-Huxley Model），膜电流方程：

I_m = C_m frac{dVm}{dt} + g{Na} m h (Vm - E{Na}) + g_K n (V_m - E_K) + g_L (V_m - E_L)

其中 $I_m$ 为膜电流，$C_m$ 为膜电容，$V_m$ 为膜电位，$g$ 为电导率，$E$ 为平衡电位。

应用场景：

神经电信号传导研究
脑机接口（BCI）阈值检测
癫痫等疾病机制分析

权威参考来源：

美国国立卫生研究院（NIH）：神经动作电位基础（NIH神经科学教程）
《自然》期刊：神经元兴奋性综述（Nature Rev. Neurosci. 2012）

术语辨析要点

特征	电子工程领域	神经生物学领域
核心对象	材料表面电子	神经元膜电位
量纲单位	伏特（V）或电子伏特（eV）	毫伏（mV）
关键影响因素	功函数、电场强度	离子通道密度、膜电容
典型数值范围	0.5–10 eV	-65 mV 至 -50 mV

注：中文“发射电位”需依上下文区分学科，避免歧义；英文术语需严格对应Emission Potential（工程）或Firing Threshold（神经科学）。

网络扩展解释

关于“发射电位”这一术语，目前可查的公开资料中并未提供直接对应的权威解释。结合“电位”的基础定义和相关领域推测，可能存在以下理解方向：

基础概念参考
电位（电势）指单位正电荷从电场中某点移动到无穷远处时电场所做的功，其单位为伏特（V）。这一概念是电磁学中的核心物理量。
可能的专业场景延伸
- 电子发射领域：在电子器件（如真空管、场效应晶体管）中，“发射电位”可能指电子从材料表面逸出所需的最小电势差，与“逸出功”相关。
- 生物电信号：在神经科学中，神经元产生动作电位时涉及电位的快速变化，但通常称为“动作电位”而非“发射电位”。
建议
由于现有资料未明确该术语的定义，可能存在以下情况：
- 术语表述不常见，需结合具体领域（如特定文献或行业标准）确认；
- 可能存在拼写误差，例如“发射极电位”（晶体管相关）或“发射电势”。

如需进一步解答，建议提供更多上下文或核实术语准确性。