低能電子繞射英文解釋翻譯、低能電子繞射的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 low-energy electron diffraction

分詞翻譯：

低能的英語翻譯：

imbecility; mental deficiency; moronism; moronity
【醫】 dysnusia; feeblemindedness; hypophrenia; mental deficiency

電子的英語翻譯：

electron
【化】 electron
【醫】 e.; electron

繞射的英語翻譯：

【醫】 diffraction

專業解析

低能電子繞射（Low-Energy Electron Diffraction, LEED）是一種用于研究晶體材料表面結構的分析技術。其核心原理是通過低能量（通常為20-200 eV）的電子束入射樣品表面，基于布拉格衍射現象分析反射電子的分布模式，從而推斷表面原子排列規律。

關鍵特性與原理

1. 能量與波長關系

   低能電子的德布羅意波長（0.1-0.5 nm）與晶體原子間距相近，滿足布拉格衍射條件。根據布拉格公式：

   $$ nlambda = 2dsintheta $$

   其中，$lambda$為電子波長，$d$為晶面間距，$theta$為入射角，$n$為衍射級數。

2. 表面敏感性

   低能電子穿透深度僅1-3個原子層，因此可高精度表征表面重構、吸附分子排列等微觀結構（來源：美國物理學會《物理評論B》）。

3. 實驗裝置

   典型LEED系統包括電子槍、樣品台、熒光屏和檢測器，通過對稱衍射斑點分析表面對稱性（來源：Springer《表面科學手冊》）。

應用領域

• 材料科學：金屬/半導體表面氧化、催化活性位點研究；
• 納米技術：二維材料（如石墨烯）的層間耦合分析（來源：Nature Materials）。

該技術因非破壞性、高空間分辨率的特點，被列為表面分析标準方法之一（來源：國際純粹與應用化學聯合會IUPAC術語庫）。

網絡擴展解釋

“低能電子繞射”的正确術語應為低能電子衍射（Low Energy Electron Diffraction, LEED），是表面科學中用于分析晶體表面結構的重要技術。以下是詳細解釋：

1.基本原理

低能電子衍射通過向晶體表面發射能量為5-500 eV的低能電子束，利用電子波的衍射現象獲取表面原子排列信息。由于電子與物質相互作用強，穿透深度僅1-5個原子層，因此特别適合研究表面結構。

2.技術特點

• 高表面靈敏度：僅探測表層原子，避免體相結構幹擾。
• 衍射圖案直觀：通過熒光屏可觀察到對稱的衍射斑點，反映表面周期性排列。
• 能量範圍：電子加速電壓通常為10-500 V（對應能量10-500 eV）。

3.應用領域

• 表面重構分析：檢測材料表面原子排列的周期性變化。
• 吸附層研究：分析氣體分子在表面的吸附構型。
• 薄膜生長監控：實時觀測外延薄膜的生長質量。

4.曆史與發展

• 1921年：Davisson和Germer首次觀察到電子衍射現象。
• 1970年代：結合計算機模拟，實現表面結構的定量分析。

術語說明

“繞射”與“衍射”為同一物理現象（Diffraction）的不同譯法，中文文獻中更常用“衍射”。該技術英文縮寫為LEED，需注意與“高能電子衍射”（HEED）區分。

如需進一步了解實驗裝置或具體案例，可參考表面分析領域的專業文獻。

分類

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