
【电】 low-energy electron diffraction
imbecility; mental deficiency; moronism; moronity
【医】 dysnusia; feeblemindedness; hypophrenia; mental deficiency
electron
【化】 electron
【医】 e.; electron
【医】 diffraction
低能电子绕射(Low-Energy Electron Diffraction, LEED)是一种用于研究晶体材料表面结构的分析技术。其核心原理是通过低能量(通常为20-200 eV)的电子束入射样品表面,基于布拉格衍射现象分析反射电子的分布模式,从而推断表面原子排列规律。
能量与波长关系
低能电子的德布罗意波长(0.1-0.5 nm)与晶体原子间距相近,满足布拉格衍射条件。根据布拉格公式:
$$ nlambda = 2dsintheta $$
其中,$lambda$为电子波长,$d$为晶面间距,$theta$为入射角,$n$为衍射级数。
表面敏感性
低能电子穿透深度仅1-3个原子层,因此可高精度表征表面重构、吸附分子排列等微观结构(来源:美国物理学会《物理评论B》)。
实验装置
典型LEED系统包括电子枪、样品台、荧光屏和检测器,通过对称衍射斑点分析表面对称性(来源:Springer《表面科学手册》)。
该技术因非破坏性、高空间分辨率的特点,被列为表面分析标准方法之一(来源:国际纯粹与应用化学联合会IUPAC术语库)。
“低能电子绕射”的正确术语应为低能电子衍射(Low Energy Electron Diffraction, LEED),是表面科学中用于分析晶体表面结构的重要技术。以下是详细解释:
低能电子衍射通过向晶体表面发射能量为5-500 eV的低能电子束,利用电子波的衍射现象获取表面原子排列信息。由于电子与物质相互作用强,穿透深度仅1-5个原子层,因此特别适合研究表面结构。
“绕射”与“衍射”为同一物理现象(Diffraction)的不同译法,中文文献中更常用“衍射”。该技术英文缩写为LEED,需注意与“高能电子衍射”(HEED)区分。
如需进一步了解实验装置或具体案例,可参考表面分析领域的专业文献。
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