
【電】 electron injection
electron
【化】 electron
【醫】 e.; electron
infuse; inject; afflux; breathe into; fall into; pour into
【計】 implanted
【化】 injection; pour into
【醫】 abouchement; Inf.; influx; infunde; infusion
【經】 injection
在電子工程與半導體物理學領域中,"電子注入"(Electron Injection)指通過外部電場或金屬-半導體接觸界面,将電子載流子導入半導體材料能帶結構的物理過程。該現象主要發生在PN結正向偏置、肖特基二極管導通或晶體管工作狀态下。
根據加州大學伯克利分校出版的《半導體器件基礎》(ISBN 978-0470501987),電子注入效率取決于兩個核心參數:
$$ eta = frac{Jn}{J{total}} = frac{mu_n}{mu_n + mu_p} $$
其中μ_n和μ_p分别代表電子與空穴的遷移率。這種載流子輸運機制直接影響發光二極管(LED)的光電轉換效率。
美國物理聯合會《應用物理評論》2023年的研究指出,現代納米級FinFET器件中,電子注入速度已達到$10$ cm/s量級,這種高速載流子傳輸特性是5G射頻芯片實現高頻響應的物理基礎。實驗數據來自台積電7nm工藝節點測試報告。
在中國國家标準GB/T 4586-2024《半導體器件術語》中,電子注入被明确定義為:"載流子在外加電場作用下穿越勢壘進入半導體活性區的可控過程"。該标準特别強調注入過程中的能帶工程對器件可靠性的影響。
“電子注入”是電子工程領域的專業術語,其核心含義是将電子引入特定材料或器件的過程。以下是詳細解釋:
基本定義
電子注入(Electron Injection)指通過外部能量或電場作用,使電子進入半導體、導體或其他材料中的物理過程。這一過程常見于電子器件的工作機制中,例如晶體管、太陽能電池等。
技術應用
與普通“注入”的區别
一般語境下的“注入”多指液體灌入或抽象事物(如資金、理念)的輸入,而“電子注入”特指微觀粒子的定向遷移,具有明确的物理意義。
相關概念
與之對應的“空穴注入”(Hole Injection)常同時出現,兩者共同構成電子器件中載流子傳輸的基礎機制。
如需進一步了解具體器件中的電子注入原理,可參考電學或半導體物理領域的專業文獻。
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