
【電】 electron-optical transistor
電子學晶體管(Electronics Transistor)是一種基于半導體材料制成的三端電子器件,其核心功能是通過輸入信號控制輸出電流,實現信號放大、開關控制及邏輯運算。在漢英詞典中,"晶體管"對應的英文術語為"transistor",由"transfer"(傳輸)和"resistor"(電阻器)組合而成,反映了其通過調節電阻實現信號傳遞的特性。
從結構上看,晶體管包含發射極(Emitter)、基極(Base)和集電極(Collector)(以雙極型晶體管為例),通過摻雜半導體材料形成PN結。其工作原理基于載流子(電子或空穴)的注入與擴散,例如在NPN型晶體管中,基極電流的微小變化可引發集電極電流的顯著變化,從而實現電流放大,放大倍數β由公式表達為: $$ beta = frac{I_C}{I_B} $$ (其中$I_C$為集電極電流,$I_B$為基極電流)。
晶體管的主要類型包括:
在工程實踐中,晶體管的發明(1947年貝爾實驗室)徹底替代了真空管,使電子設備向小型化、高效化發展。現代芯片中數十億個納米級晶體管通過CMOS工藝集成,構成了計算機處理器的基礎單元(來源:IEEE Xplore電子工程數據庫)。
電子學中的晶體管(Transistor)是一種半導體器件,主要用于放大電信號、控制電流以及作為電子開關。以下是詳細解釋:
晶體管由半導體材料(如矽或鍺)制成,通常包含三個電極:
其核心功能是通過小電流/電壓控制大電流,實現信號放大或電路通斷。
晶體管分為雙極型晶體管(BJT)和場效應晶體管(FET)兩類:
BJT(雙極型)
通過基極電流控制集電極-發射極間的電流。基極注入少量載流子,觸發集電極的大電流流動,常用于模拟信號放大。
FET(場效應型)
利用電場效應控制電流。通過栅極電壓調節源極與漏極間的導電通道,功耗更低,適用于數字電路(如MOSFET)。
晶體管于1947年由貝爾實驗室發明,取代了笨重的真空管,推動了電子設備的小型化和高效化,成為現代信息技術的基礎。
總結來說,晶體管是電子學的基石,其高效、可靠和微型化特性使其廣泛應用于從智能手機到航天器的所有電子系統中。
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