擠壓電阻英文解釋翻譯、擠壓電阻的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 pinched resistor

crowd; press; crush; shove; squeeze; wring
【法】 milk

【電】 piezoresistance

擠壓電阻（Compression Resistor）是電子工程領域中對壓敏電阻（Varistor）或壓阻效應（Piezoresistive Effect）的非正式表述，其核心含義與材料在機械應力作用下的電阻變化特性相關。

擠壓電阻現象指半導體或金屬材料在外力擠壓下發生形變，導緻内部晶格結構改變，從而影響載流子遷移率并改變電阻值。這種特性遵循壓阻效應公式： $$ Delta R/R = K cdot epsilon $$ 其中ΔR為電阻變化量，K為壓阻系數，ε為應變值。

該特性被廣泛應用于：

關鍵指标包括壓阻系數（典型值：矽材料約100×10⁻¹¹/Pa）、線性度誤差（<0.1%FS）和溫度系數（±0.02%/℃），具體參數可參考IEEE标準1451.4-2004。

需注意"擠壓電阻"并非IEC标準術語，建議專業文獻中采用"壓敏電阻"（Varistor）或"壓阻效應"（Piezoresistive Effect）等規範表述，相關定義可查證《英漢電子工程詞典》（科學出版社，2020）。

“擠壓電阻”是一種應用于半導體器件（如功率器件）中的特定結構設計，主要用于優化器件的耐壓、導通電阻等性能。根據的實用新型專利描述，其核心結構包括：

基本組成：
- 由第一摻雜類型半導體襯底作為基礎層，上方生長第二摻雜類型外延層（與外延層摻雜類型相反），形成PN結基礎結構。
- 通過高壓阱和深阱（均為第二摻雜類型）的疊加，構建高耐壓區域，用于承受高電場。
電阻設計原理：
- 擠壓電阻的歐姆接觸區直接設置在外延層内，而外延層通常為輕摻雜，電阻率較高。通過精确控制摻雜濃度和幾何尺寸，形成特定阻值的電阻路徑。
- 與漏極歐姆接觸區（位于深阱内）形成分離結構，可能在電流流經外延層時産生可控的電阻效應，平衡導通損耗與耐壓能力。
功能作用：
- 均流作用：在功率器件（如LDMOS）中，擠壓電阻可分散電流密度，防止局部過熱，提升器件可靠性。
- 耐壓增強：結合高壓阱與深阱的梯度摻雜設計，優化電場分布，提高擊穿電壓。
- 工藝整合：該結構可與傳統半導體工藝兼容，無需額外掩模步驟，適合大規模生産。

該設計常見于高壓集成電路、電源管理芯片等領域，是功率半導體器件中平衡導通電阻（Rds(on)）與擊穿電壓的關鍵技術之一。