
【电】 electron-optical transistor
电子学晶体管(Electronics Transistor)是一种基于半导体材料制成的三端电子器件,其核心功能是通过输入信号控制输出电流,实现信号放大、开关控制及逻辑运算。在汉英词典中,"晶体管"对应的英文术语为"transistor",由"transfer"(传输)和"resistor"(电阻器)组合而成,反映了其通过调节电阻实现信号传递的特性。
从结构上看,晶体管包含发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector)(以双极型晶体管为例),通过掺杂半导体材料形成PN结。其工作原理基于载流子(电子或空穴)的注入与扩散,例如在NPN型晶体管中,基极电流的微小变化可引发集电极电流的显著变化,从而实现电流放大,放大倍数β由公式表达为: $$ beta = frac{I_C}{I_B} $$ (其中$I_C$为集电极电流,$I_B$为基极电流)。
晶体管的主要类型包括:
在工程实践中,晶体管的发明(1947年贝尔实验室)彻底替代了真空管,使电子设备向小型化、高效化发展。现代芯片中数十亿个纳米级晶体管通过CMOS工艺集成,构成了计算机处理器的基础单元(来源:IEEE Xplore电子工程数据库)。
电子学中的晶体管(Transistor)是一种半导体器件,主要用于放大电信号、控制电流以及作为电子开关。以下是详细解释:
晶体管由半导体材料(如硅或锗)制成,通常包含三个电极:
其核心功能是通过小电流/电压控制大电流,实现信号放大或电路通断。
晶体管分为双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)两类:
BJT(双极型)
通过基极电流控制集电极-发射极间的电流。基极注入少量载流子,触发集电极的大电流流动,常用于模拟信号放大。
FET(场效应型)
利用电场效应控制电流。通过栅极电压调节源极与漏极间的导电通道,功耗更低,适用于数字电路(如MOSFET)。
晶体管于1947年由贝尔实验室发明,取代了笨重的真空管,推动了电子设备的小型化和高效化,成为现代信息技术的基础。
总结来说,晶体管是电子学的基石,其高效、可靠和微型化特性使其广泛应用于从智能手机到航天器的所有电子系统中。
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