電子束存儲器英文解釋翻譯、電子束存儲器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 beam storage

分詞翻譯：

電子的英語翻譯：

electron
【化】 electron
【醫】 e.; electron

束的英語翻譯：

bind; bundle; colligate; faggot; fagot; restrain; sheaf; tie; truss
【計】 beam
【醫】 beam; bundle; Fasc.; fasciculi; fasciculus; fasicle; tract; tractus
【經】 bundle

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

專業解析

電子束存儲器（Electron Beam Memory）是一種利用聚焦電子束在存儲介質表面讀寫數據的早期計算機存儲技術。以下從漢英詞典角度解析其詳細含義與技術背景：

一、術語解析

中文定義
"電子束存儲器"由三部分構成：
- 電子束（Electron Beam）：真空中經電場加速形成的高能電子流，可通過電磁場精确控制偏轉路徑。
- 存儲器（Memory）：實現數據存儲與讀寫的硬件設備。
  該技術通過電子束掃描存儲介質（如陰極射線管屏幕）産生電荷分布，以"帶電/不帶電"狀态表示二進制數據。
英文對應術語
- 标準譯名：Electron Beam Memory (EBM)
- 技術别稱：Electron Beam Storage Tube 或 Williams-Kilburn Tube（以1947年發明者命名）。

二、技術原理

工作過程
- 寫入：電子束轟擊介質表面（如磷光塗層），産生靜電荷圖案（如"1"=帶電點，"0"=中性點）。
- 讀取：電子束二次掃描時，電荷狀态變化引發電流波動，經放大器轉換為電信號。
- 刷新機制：電荷易衰減，需周期性重寫數據（早期動态存儲特性）。
核心組件
- 電子槍（生成電子束）
- 偏轉線圈（控制光束定位）
- 存儲靶面（電荷存儲層）
- 信號檢測闆（讀取電荷狀态）。

三、曆史地位與局限

革新性：1940年代末取代延遲線存儲器，成為首個隨機存取存儲器（RAM），實現微秒級訪問速度。
缺陷：
1. 存儲密度低（典型容量：512~1024比特）
2. 易受溫度/振動幹擾
3. 需高壓電源（約15kV）。
淘汰原因：1950年代磁芯存儲器問世，兼具更高可靠性與容量。

權威參考資料

注：電子束存儲器現為計算機發展史的研究對象，現代應用已被半導體存儲器取代。其技術原理仍影響電子顯微鏡及粒子加速器領域。

網絡擴展解釋

“電子束存儲器”是由“電子束”和“存儲器”兩個技術術語組合而成的概念，需分别解釋後綜合理解：

一、電子束

電子束是由陰極射線産生的束狀高速電子流，通過高壓電場加速形成，具有高能量密度。其特性包括：

應用場景：常用于電子顯微鏡成像、電視顯像管等設備。
技術原理：電子槍中的陰極發射電子，經25-300kV高壓加速後形成定向束流。

二、存儲器

存儲器是計算機中保存數據、指令的器件，核心要求為存取速度快、容量大。主要分類：

内存儲器：如RAM，直接與CPU交互，速度快但容量較小。
外存儲器：如硬盤，容量大但速度較慢。

三、電子束存儲器的可能含義

結合兩者，“電子束存儲器”可能指利用電子束技術實現數據讀寫的存儲裝置，推測特點如下：

技術背景：或屬于早期高密度存儲技術（如CRT存儲器），通過電子束在特定介質上刻錄/讀取數據。
潛在優勢：電子束的高精度可能提升存儲密度，適用于科研或專業領域。

注：該術語未在搜索結果中直接定義，以上為基于詞源的技術推斷。如需具體技術細節，建議參考電子工程或計算機存儲領域的專業文獻。