电子束存储器英文解释翻译、电子束存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 beam storage

分词翻译：

电子的英语翻译：

electron
【化】 electron
【医】 e.; electron

束的英语翻译：

bind; bundle; colligate; faggot; fagot; restrain; sheaf; tie; truss
【计】 beam
【医】 beam; bundle; Fasc.; fasciculi; fasciculus; fasicle; tract; tractus
【经】 bundle

存储器的英语翻译：

storage; store
【计】 M; memorizer; S

专业解析

电子束存储器（Electron Beam Memory）是一种利用聚焦电子束在存储介质表面读写数据的早期计算机存储技术。以下从汉英词典角度解析其详细含义与技术背景：

一、术语解析

中文定义
"电子束存储器"由三部分构成：
- 电子束（Electron Beam）：真空中经电场加速形成的高能电子流，可通过电磁场精确控制偏转路径。
- 存储器（Memory）：实现数据存储与读写的硬件设备。
  该技术通过电子束扫描存储介质（如阴极射线管屏幕）产生电荷分布，以"带电/不带电"状态表示二进制数据。
英文对应术语
- 标准译名：Electron Beam Memory (EBM)
- 技术别称：Electron Beam Storage Tube 或 Williams-Kilburn Tube（以1947年发明者命名）。

二、技术原理

工作过程
- 写入：电子束轰击介质表面（如磷光涂层），产生静电荷图案（如"1"=带电点，"0"=中性点）。
- 读取：电子束二次扫描时，电荷状态变化引发电流波动，经放大器转换为电信号。
- 刷新机制：电荷易衰减，需周期性重写数据（早期动态存储特性）。
核心组件
- 电子枪（生成电子束）
- 偏转线圈（控制光束定位）
- 存储靶面（电荷存储层）
- 信号检测板（读取电荷状态）。

三、历史地位与局限

革新性：1940年代末取代延迟线存储器，成为首个随机存取存储器（RAM），实现微秒级访问速度。
缺陷：
1. 存储密度低（典型容量：512~1024比特）
2. 易受温度/振动干扰
3. 需高压电源（约15kV）。
淘汰原因：1950年代磁芯存储器问世，兼具更高可靠性与容量。

权威参考资料

注：电子束存储器现为计算机发展史的研究对象，现代应用已被半导体存储器取代。其技术原理仍影响电子显微镜及粒子加速器领域。

网络扩展解释

“电子束存储器”是由“电子束”和“存储器”两个技术术语组合而成的概念，需分别解释后综合理解：

一、电子束

电子束是由阴极射线产生的束状高速电子流，通过高压电场加速形成，具有高能量密度。其特性包括：

应用场景：常用于电子显微镜成像、电视显像管等设备。
技术原理：电子枪中的阴极发射电子，经25-300kV高压加速后形成定向束流。

二、存储器

存储器是计算机中保存数据、指令的器件，核心要求为存取速度快、容量大。主要分类：

内存储器：如RAM，直接与CPU交互，速度快但容量较小。
外存储器：如硬盘，容量大但速度较慢。

三、电子束存储器的可能含义

结合两者，“电子束存储器”可能指利用电子束技术实现数据读写的存储装置，推测特点如下：

技术背景：或属于早期高密度存储技术（如CRT存储器），通过电子束在特定介质上刻录/读取数据。
潜在优势：电子束的高精度可能提升存储密度，适用于科研或专业领域。

注：该术语未在搜索结果中直接定义，以上为基于词源的技术推断。如需具体技术细节，建议参考电子工程或计算机存储领域的专业文献。