單石積分電路英文解釋翻譯、單石積分電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 monolithic integrated circuit

分詞翻譯：

單石的英語翻譯：

【電】 monolithic

積分電路的英語翻譯：

【計】 intergrator

專業解析

單石積分電路（Monolithic Integrating Circuit）指采用單片集成電路技術制造的積分運算電路。在電子工程領域，該術語強調電路以單個半導體基片（如矽片）集成運算放大器、電阻、電容等元件，實現連續時間積分功能。其核心是通過電容對輸入電流的累積效應産生與輸入電壓積分成比例的輸出電壓，數學表達為：

$$ V{out} = -frac{1}{RC} int V{in}dt $$

關鍵特性與漢英對照解析：

單石 (Monolithic)
指電路元件集成于單一半導體芯片内部，區别于分立元件搭建的電路。該技術由仙童半導體（Fairchild）和德州儀器（TI）于20世紀60年代推動發展，顯著提升電路穩定性與小型化水平。
積分電路 (Integrating Circuit)
利用電容的電壓-電流積分關系（$i_C = C frac{dv_C}{dt}$），結合運算放大器構成反相積分器。典型拓撲包含：
- 輸入電阻（R）：将輸入電壓轉換為電流
- 反饋電容（C）：累積電荷實現積分
- 運放虛地：确保電容兩端電位差精确控制
  來源：Paul Horowitz, The Art of Electronics, 劍橋大學出版社
應用場景
主要用于模拟計算（如微分方程求解）、波形轉換（方波轉三角波）、控制系統（相位補償）及模數轉換器（ADC）的積分階段。例如，NE555定時器的内部比較器鍊包含積分模塊。

設計考量：

非理想效應：實際單石積分器受運放輸入偏置電流、電容漏電、寄生電阻等因素影響，需通過選擇低失調運放（如OPA2180）和聚丙烯電容優化精度。
頻域特性：傳遞函數 $H(s) = -frac{1}{sRC}$，在波特圖中表現為-20dB/十倍頻衰減。
來源：IEEE Journal of Solid-State Circuits, 卷52期3

權威參考文獻：

Gray, Meyer, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits（Wiley）
Allen, Holberg, CMOS Analog Circuit Design（Oxford University Press）

網絡擴展解釋

單石積分電路是指采用單片集成電路技術實現的積分電路，與傳統的分立元件（電阻、電容）構成的積分電路相比，其核心元件（如運算放大器）和部分外圍電路被集成在單一芯片上，具有更高的穩定性和集成度。

關鍵特性：

結構基礎
基于運算放大器的積分電路設計，典型結構包含運算放大器、反饋電容和輸入電阻（原理可參考傳統積分電路）。單石設計将這些元件集成在單一芯片内，減少了外部元件數量。
功能特性
- 輸出與輸入電壓的時間積分成比例，適用于信號波形轉換（如方波轉三角波）。
- 集成化設計降低了溫度漂移和噪聲幹擾，提升了線性度。
應用場景
常用于模拟計算、信號處理系統（如PID控制器中的積分環節）以及通信設備中的波形生成電路。

與傳統積分電路的差異：

體積與可靠性：單石結構更緊湊，適合高密度電路闆；集成工藝減少了元件間的連接問題。
性能優化：芯片内部匹配的元件參數（如電阻、電容）可提高積分精度，減少誤差。

如果需要更具體的電路設計參數或型號示例，建議查閱集成電路手冊或廠商資料。